Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов
В работе представлена комплексная система мониторинга, управления и стабилизации процесса ионно-лучевого осаждения. Также описана процедура оптимизации параметров процесса получения наноразмерных нитридных и оксинитридных пленок и наногетероструктур на основе титана. В работе приведена схема техноло...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7866 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов / А.В. Деревянко, А.Н. Стервоедов, М.Ю. Силкин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 114-120. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860193033428926464 |
|---|---|
| author | Деревянко, А.В. Стервоедов, А.Н. Силкин, М.Ю. |
| author_facet | Деревянко, А.В. Стервоедов, А.Н. Силкин, М.Ю. |
| citation_txt | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов / А.В. Деревянко, А.Н. Стервоедов, М.Ю. Силкин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 114-120. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | В работе представлена комплексная система мониторинга, управления и стабилизации процесса ионно-лучевого осаждения. Также описана процедура оптимизации параметров процесса получения наноразмерных нитридных и оксинитридных пленок и наногетероструктур на основе титана. В работе приведена схема технологической части установки ионно-лучевого осаждения функциональных пленок и синтеза наногетероструктур, для которой система разрабатывалась, описана структурная схема микропроцессорной системы управления, принципиальные схемы отдельных ее блоков, алгоритмы работы, а также результаты исследования полученных нитридных и оксинитридных пленок титана наноразмерной толщины.
У даній роботі представлена розроблена комплексна система моніторингу, управління і стабілізації процесу іонно-променевого осадження, а також описана оптимізація параметрів здобуття нанорозмірних нітридних і оксинітридних плівок і наногетероструктур на основі титану. У роботі представлена схема технологічної частини установки іонно-променевого осадження функціональних плівок і синтезу наноструктур, для якої система розроблялася, структурна схема розробленої мікропроцесорної системи, принципові схеми окремих її блоків, алгоритми роботи, а також результати отриманих нітридних і оксинітиідних плівок титану нанорозмірної товщини.
The integrated system developed for the ion-beam deposition process monitoring, control and stabilizing is presented in this work. Also nitride and oxynitride nanoscale titanium films and structures parameters obtaining optimization method is described. The scheme of the functional films and synthesis of nanoscale structures ion-beam deposition plant, which the system was developed for, flow diagram of the developed microsystem, schemes of its separate blocks, algorithms of work, and also results of obtaining nitride and oxynitride nano-sized titanium films are presented.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:07:09Z |
| format | Article |
| fulltext |
ФІП ФИП PSE, 2008, т. 6, № 1-2, vol. 6, No. 1-2114
ВВЕДЕНИЕ
Процесс синтеза пленок наноразмерной тол-
щины связан с жесткими требованиями, пре-
дъявляемыми к качеству структуры получае-
мых пленок, их стехиометрии, наличию при-
месей и стабильностью характеристик. Он
должен обладать малой инерционностью и
возможностью управления параметрами на-
пыления для достижения повторяемости гео-
метрических и физико-химических характе-
ристик пленок, обладать возможностью пред-
варительной обработки и очистки поверх-
ности непосредственно перед осаждением
для предотвращения появления нежелатель-
ных соединений и структур на границе раз-
дела пленка-подложка. К перспективным
методам синтеза тонких пленок, отвечающим
вышеперечисленным требованиям, относит-
ся метод ионно-лучевого распыления мате-
риалов и их осаждение на подготовленную
подложку в контролируемой вакуумной среде
[1]. В результате ионного распыления отно-
сительно высокая энергия частиц, эмитируе-
мых мишенью и воздействующих на поверх-
ность при конденсации, существенно влияет
на процессы зарождения, роста, формиро-
вания и результирующие характеристики
пленки [2, 3].
Напыление стабильной ультратонкой
сплошной пленки заданной стехиометрии и
толщины ионным распылением – это много-
параметрическая и нетривиальная задача, ко-
торая может быть решена только при исполь-
зовании современных микропроцессорных
методов контроля работы установки и про-
граммном управлении процессом синтеза.
Целью настоящей работы являлась разра-
ботка и создание комплексной системы мони-
торинга, управления и стабилизации про-
цесса ионно-лучевого осаждения, а также оп-
тимизации параметров получения нанораз-
мерных нитридных и оксинитридных пленок
и наногетероструктур.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА
На рис. 1 представлена схема технологичес-
кой части установки ионно-лучевого осажде-
ния функциональных пленок и синтеза нано-
гетероструктур. На боковой поверхности ва-
куумной камеры с помощью вакуумных уп-
лотнений и сильфона был установлен ионный
источник (ИИ) пеннинговского типа с холод-
ным катодом. Снаружи ионный источник за-
креплен на механическом подъемнике 1 для
изменения во время эксперимента направле-
ния ионного пучка. Такая установка ионного
источника позволила использовать один ис-
УДК 539.23; 621.793.184
СТАБИЛИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ
НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДОВ И
ОКСИНИТРИДОВ МЕТАЛЛОВ
А.В. Деревянко*, А.Н. Стервоедов *,**, М.Ю. Силкин*
*Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
Украина
**Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины (Харьков)
Украина.
Поступила в редакцию 07.06.2008
В работе представлена комплексная система мониторинга, управления и стабилизации процесса
ионно-лучевого осаждения. Также описана процедура оптимизации параметров процесса по-
лучения наноразмерных нитридных и оксинитридных пленок и наногетероструктур на основе
титана. В работе приведена схема технологической части установки ионно-лучевого осаждения
функциональных пленок и синтеза наногетероструктур, для которой система разрабатывалась,
описана структурная схема микропроцессорной системы управления, принципиальные схемы
отдельных ее блоков, алгоритмы работы, а также результаты исследования полученных нитрид-
ных и оксинитридных пленок титана наноразмерной толщины.
ФІП ФИП PSE, 2008, т. 6, № 1-2, vol. 6, No. 1-2 115
точник для очистки поверхности, как под-
ложки, так и мишени, точно позиционировать
пучок на мишени, а также осуществлять ион-
ное стимулирование процесса синтеза пери-
ферией ионного пучка [4].
Помимо источника ионов, было установ-
лено диагностическое и вспомогательное
оборудование: цилиндр Фарадея; пирометри-
ческий измеритель температуры и термопара
для независимого контроля температуры под-
ложки; пьезонатекатели СНА-2 для напуска
аргона в разрядную камеру ионного источни-
ка и азота в вакуумную камеру; кварцевый из-
меритель толщины (КИТ) с датчиком 7. По
центру камеры располагается горизонталь-
ный манипулятор с зажимом 3, на котором
была установлена мишень 4 из титановой
фольги чистотой 99,99%. Манипулятор с
мишенью и манипулятор с держателем под-
ложек 6 могут перемещаться вдоль и вра-
щаться вокруг своей оси для установки опти-
мальной геометрии ионно-лучевого распы-
ления и ионно-стимулируемого осаждения.
Для нагрева подложки в процессе напыления
пропусканием электрического тока был ус-
тановлен выдвижной контакт 5.
СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ И
СТАБИЛИЗАЦИИ
Для стабилизации процесса ионно-лучевого
синтеза наноразмерных пленок и наногетеро-
структур установка была оснащена набором
датчиков и элементов управления, связанных
между собой управляющим центром, как
показано на рис. 2. Элементы сбора данных
представляют собой интеллектуальные ус-
тройства на базе микроконтроллеров или
программируемых логических матриц, имею-
щие физический интерфейс для связи со сре-
дой передачи данных и набор предостав-
ляемых функций, специальный для каждого
узла. При выборе интерфейса для связи были
рассмотрены все требования, предъявляемые
к средствам автоматизации технологических
процессов: надежность, приемлемая скорость
обмена данными и легкая масштабируемость.
В качестве средств физического уровня
была выбрана промышленная шина RS-485
Рис. 1. Схема технологической части вакуумной установки. МКСУ – микроконтроллерная система управле-
ния, БУПИТ – блок управления пирометрическим измерителем температуры (ПИТ), БУИИ – блок управле-
ния ионным источником (ИИ), БИИТ – блок измерения ионного тока, ЦФ – цилиндр Фарадея, СНА – система
напуска газа, РСТ – регулируемый стабилизатор температуры, КИТ – кварцевый измеритель толщины, БИТ –
блок измерения температуры, ВС – вакуумная система.
А.В. ДЕРЕВЯНКО, А.Н. СТЕРВОЕДОВ, М.Ю. СИЛКИН
ФІП ФИП PSE, 2008, т. 6, № 1-2, vol. 6, No. 1-2116
[5], представляющая собой общую среду
передачи данных с последовательным под-
ключением узлов системы. Максимальное
расстояние передачи данных превышает
1000 м, что позволяет системе управления на-
ходиться удаленно от установки. Согласно
стандарту EIA485, было использовано сое-
динение между передающим и принимаю-
щим устройствами с помощью трех прово-
дов: провода с данными, провода с инверти-
рованными данными и нулевого провода. Два
провода с данными представляют собой ви-
тую пару, которая заключена в металлический
экран, являющийся нулевым проводом. Ис-
пользование такого кабеля позволило умень-
шить влияние помех и шумов.
Для подключения с узлом системы были
использованы драйверы шины ADM-485
(0 – 3), которые позволяют при использова-
нии 100-омной витой пары, применяемой в
сетях Ethernet, подключать до 32 приемопере-
датчиков, что вполне достаточно для постав-
ленной задачи. Принципиальная схема одно-
го из датчиков представлена на рис. 3. Как
видно, устройство может работать автоном-
но, используя клавиатуру и ЖКИ для взаимо-
Рис. 2. Структурная схема системы управления.
Рис. 3. Принципиальная схема датчика.
СТАБИЛИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДОВ И ОКСИНИТРИДОВ ...
ФІП ФИП PSE, 2008, т. 6, № 1-2, vol. 6, No. 1-2 117
действия с оператором и интерфейс USB 1.1
для связи с ПК, или как составная часть об-
щей системы с помощью драйвера ADM4850.
ПРОТОКОЛЫ ОБМЕНА ДАННЫМИ
При выборе логического протокола передачи
рассмотрены протоколы ProfiBus, ModBus,
Wake [6] и модификации X10. Для получения
требуемой скорости обмена данными выбор
сделан в пользу Wake, который одинаково
хорошо работает как с использованием про-
токолов нижнего уровня RS-232 и RS-485, так
и с USB (используя драйвера компании FTDI).
Это качество протокола удобно использовать
при отладке отдельных узлов системы. Про-
токол позволяет производить обмен пакетами
данных длиной до 255 байт с адресуемыми
устройствами, которых может быть до 127 со
скоростью до 115200 бод/с. Реализованная
система работает при центральном арбит-
раже, то есть за весь обмен данными отвечает
один назначенный контроллер (в нашем
случае компьютер), а для передачи данных
используются фреймы, структура которых
представлена на рис. 4. Одним из полей по-
сылки является адрес отправителя. Наличие
этого поля связано с тем, что в дальнейшем
систему планируется перевести на использо-
вание стандарта RS-422 для реализации
полнодуплексного обмена, что позволит каж-
дому из элементов системы запрашивать дан-
ные у других. Такой подход может снизить
инерционность системы и уменьшить ее за-
груженность.
ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
УПРАВЛЯЮЩЕГО КОМПЬЮТЕРА
Все полученные данные обрабатываются спе-
циализированным прикладным програм-
мным обеспечением. Прежде всего, они поме-
щаются в хранилище данных [7]. Для этого
было предложено использование композици-
онного хранилища данных, позволяющего
сохранять как сами данные, так и их описа-
тельную часть. Полученные метаданные
используются в дальнейшем для создания
истории и сопоставления результатов, по-
лученных от разнородных источников.
Для работы с подобным хранилищем раз-
работана специализированная файловая сис-
тема, позволяющая в качестве пространства
использовать файл большого размера и пре-
доставляющая все необходимые функции: по-
иск, вставка, дефрагментация и др. В связи с
большой разнородностью информации такой
подход оказался намного более продуктив-
ным, чем использование реляционных баз
данных. В последующем накопленные дан-
ные подлежат аналитической обработке, при
которой требуется как текущая информация
о функционировании системы, так и истори-
ческие данные о предыдущих ее состояниях.
Таким образом, совокупность данных не мо-
жет быть представлена простой последовате-
льностью или таблицей. Проще всего рас-
сматривать ее как многомерный массив [8], в
котором в качестве координат выступают: па-
раметры, способы их получения, время, связь
с другими элементами массива и другие. По-
добный подход находит широкое применение
в разнообразных информационно-управляю-
щих системах: от самых простых, с единица-
ми параметров, до сложных распределенных
систем с десятками и сотнями показателей.
Это позволяет значительно расширить воз-
можности информационной системы.
Важной особенностью системы является
используемый интерфейс пользователя. Для
функционирования системы создана система
графического программирования, в которой
каждый из элементов системы и обрабатыва-
ющие алгоритмы представлены в схематичес-
ком виде. Большинство операций по контро-
лю и управлению технологическим процес-
сом производится, работая с предлагаемыми
системой элементами. При разработке систе-
мы программирования в качестве примера
был выбран мощный, широко распространен-
ный пакет LabView [9], однако разрабатывае-
мая программная система отличается боль-
шей направленностью на управление техно-
логическими процессами и возможностью
Рис. 4. Структура фрейма. PA – преамбула, Saddr –
адрес отправителя, DAddr – адрес получателя, DLen
– длина сообщения, Data – данные, CRC – контроль
правильности.
А.В. ДЕРЕВЯНКО, А.Н. СТЕРВОЕДОВ, М.Ю. СИЛКИН
ФІП ФИП PSE, 2008, т. 6, № 1-2, vol. 6, No. 1-2118
свободного использования (программа раз-
рабатывалась как OpenSource-приложение).
Программная система поддерживается всеми
основными платформами: Windows, UNIX,
MacOS и др. Дальнейшее расширение про-
граммы возможно благодаря встроенному в
систему компилятору языка Cи способности
пользователя самостоятельно создавать но-
вые модули программы и расширять под-
держиваемые интерфейсы, протоколы связи
и методы обработки данных. С помощью соз-
данного интерфейса пользователь может как
наблюдать текущие параметры протекания
процесса, так и дать возможность системе са-
мостоятельно управлять ходом синтеза по-
крытия. Во втором случае на основании исто-
рических данных выбираются оптимальные
параметры и задаются элементами управ-
ления системы.
АЛГОРИТМЫ РАБОТЫ
Для произведения большинства операций
управления состоянием системы требуется 3
пересылки данных. Например, стабилизацию
тока пучка ионного источника можно разбить
на следующие этапы. На первом этапе уп-
равляющий контроллер (в нашем случае ПК)
формирует фрейм, в котором в поля адреса
вносит собственный адрес и адрес цилиндра
Фарадея, являющегося датчиком тока. В ка-
честве данных указывается код команды,
соответствуюий отправке результатов изме-
рений. Также информация в поле данных мо-
жет информировать датчик о том, исполь-
зуется ли код CRC для контроля. В некоторых
случаях использование кода не является не-
обходимым, поэтому для общего ускорения
работы системы есть возможность его отклю-
чения. Каждый из датчиков, зафиксировав
преамбулу фрейма, считывает следующие за
ней адреса. Интеллектуальное устройство,
работающее с ЦФ, идентифицирует свой ад-
рес, проверяет содержимое поля длины дан-
ных, считывает сами данные и, при необходи-
мости, проверяет их с помощью CRC. Рас-
шифровав команду, датчик формирует ответ-
ный пакет, содержащий результаты оциф-
ровки сигнала с ЦФ. Получив ответ и ис-
пользуя накопленные эквивалентные данные
о зависимости ионного тока примененного
ионного источника от давления, представ-
ленные на рис. 5, управляющий контроллер
принимает решение о том, нужно ли изме-
нение давления в камере и, в случае необхо-
димости, посылает команду устройству уп-
равления напуском, указывающую требуемое
значение скорости напуска. Важно отметить,
что в процессе работы полученные данные
добавляются к существующим в хранилище,
что дает возможность вырабатывать все более
точные зависимости.
РЕЗУЛЬТАТЫ СИНТЕЗА
НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК
Как один из примеров работы системы мони-
торинга, управления и стабилизации процес-
са ионно-лучевого осаждения, представлены
результаты исследования влияния температу-
ры подложки во время ионно-лучевого синте-
за на химическое состояние и диффузионные
свойства структур Ti-O-N/Si. С этой целью
методом ионно-лучевого распыления титано-
вой мишени в атмосфере азота были получе-
ны пленки Ti-O-N толщиной 3 – 5 нм. Под-
ложкой для осаждения был выбран кремний,
предварительно очищенный ионным пуч-
ком. Перед осаждением мишень также очи-
щалась распылением ионным пучком без под-
ложки в течении 15 мин. Титан распылялся
ионами аргона с энергией 5 кэВ и током на
мишени 15 мкА при диаметре ионного пучка
10 мм. Вакуум в подготовительной камере со-
здавался турбомолекулярным насосом и до
включения ионного источника составлял
4⋅10–8 мбар. При включении источника ионов,
вследствие напуска газа в его разрядную ка-
меру, вакуум в рабочей камере ухудшался за
Рис. 5. Зависимость ионного тока от давления.
СТАБИЛИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДОВ И ОКСИНИТРИДОВ ...
ФІП ФИП PSE, 2008, т. 6, № 1-2, vol. 6, No. 1-2 119
счет аргона до 5⋅10–6 мбар. Для получения ни-
трида титана после запуска ионного источ-
ника в камеру напускался азот со степенью
чистоты 99,99%. Время осаждения состав-
ляло 10 минут. Был получен ряд образцов
как с включенным режимом стабилизации
температуры подложки во время синтеза на
уровне 350 °C, так и без дополнительного по-
догрева подложки.
Сравнение спектров рентгеновской фото-
электронной спектроскопи, представленных
на рис. 6.I, а также рис. 6.II показывает, что в
первом случае (при 350 °C) наблюдается
большее содержание азота и меньшее кисло-
рода, чем в пленках, полученных при комнат-
ной температуре. После контролируемого
температурного отжига при 750 °C оксидная
составляющая в пленках, полученных без по-
догрева подложки, существенно уменьшает-
ся, но заметнее, чем в пленках, сформирован-
ных при 350 °C, где она практически полнос-
тью исчезает. Изменение стехиометрического
состава образцов, полученных при разных
температурах подложки, во время температу-
рного отжига наглядно показано на рис. 6.III.
Исследование границы раздела пленка-
подложка после отжига при 750 °C (рис. 7)
показывает более существенную диффузию
атомов кремния в пленках, полученных без
стабилизации температуры подложки во вре-
мя синтеза, а также формирования соеди-
нений Si-N и Si-O на границе раздела. Первое
обстоятельство связано с тем, что коэффици-
ент диффузии атомов кремния в TiN увеличи-
вается с увеличением содержания примесей
кислорода в пленке. Большее содержание
кислорода также приводит к формированию
Si-O на границе раздела, которое не наблю-
дается в пленках, полученных при 350 °C.
ВЫВОДЫ
Создана комплексная система мониторинга,
управления и стабилизации процесса ионно-
лучевого осаждения, позволяющая оптимизи-
ровать параметры технологии получения
наноразмерных нитридных и оксинитридных
пленок и наногетероструктур. Отработана
теххнология создания композиционных хра-
нилищ данных, позволяющих сохранять раз-
нородные данные и предоставляющих воз-
можность их быстрой обработки. С помощью
созданной системы наработаны данные, поз-
Рис. 6. РФЕС спектры поверхности образцов Ti-O-N: (I) – обзорные спектры; (II) – обзорные спектры после
отжига при 750°C; (III) – тройная диаграмма стехиометрического состава образцов Ti-O-N во время
температурного отжига.
Рис. 7. Спектры фотоэмиссии остовного уровня 2p
кремния после отжига при 750 °C.
А.В. ДЕРЕВЯНКО, А.Н. СТЕРВОЕДОВ, М.Ю. СИЛКИН
ФІП ФИП PSE, 2008, т. 6, № 1-2, vol. 6, No. 1-2120
воляющие выбирать оптимальные параметры
проведения процесса синтеза. Исследовано
влияния температуры подложки во время
ионно-лучевого синтеза на химическое сос-
тояние и диффузионные свойства структур
Ti-O-N/Si. Показано, что изменяя темпера-
туру подложки во время синтеза, возможно
влиять на содержание кислорода в пленках,
формируя как наноразмерные пленки TiN для
применения в качестве высокотемпературных
контактов или диффузионных барьеров, так
и TiNxOy для использования, например, в
оптоэлектронике.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Styervoyedov A., Farenik V. Formation of Ti and
TiN ultra-thin films on Si by ion beam sputter
deposition//Surface Science. –2006. – Vol. 600.–
P. 3766-3769.
2. Rossnagel S.M., Cuomo J.J. Film modification
by low energy ion bombardment during depo-
sition//Thin Solid Films. – 1989. – № 171. –
P. 143-156.
ION-BEAM DEPOSITION OF ULTRATHIN
METALL NITRIDE AND OXYNITRIDE
FILMS PROCESS STABILIZATION
A. Derevianko, A. Styervoyedov,
M. Silkin
The integrated system developed for the ion-beam
deposition process monitoring, control and
stabilizing is presented in this work. Also nitride
and oxynitride nanoscale titanium films and struc-
tures parameters obtaining optimization method is
described. The scheme of the functional films and
synthesis of nanoscale structures ion-beam deposi-
tion plant, which the system was developed for, flow
diagram of the developed microsystem, schemes of
its separate blocks, algorithms of work, and also
results of obtaining nitride and oxynitride nano-sized
titanium films are presented.
СТАБІЛІЗАЦІЯ ПРОЦЕСУ
ІОННО-ПРОМЕНЕВОГО ОСАДЖЕННЯ
НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК НІТРИДІВ
ТА ОКСИНІТРИДІВ МЕТАЛІВ
А.В. Дерев’янко, А.М. Стєрвоєдов,
М.Ю. Сілкін
У даній роботі представлена розроблена комп-
лексна система моніторингу, управління і стабі-
лізації процесу іонно-променевого осадження, а
також описана оптимізація параметрів здобуття
нанорозмірних нітридних і оксинітридних плівок
і наногетероструктур на основі титану. У роботі
представлена схема технологічної частини уста-
новки іонно-променевого осадження функціо-
нальних плівок і синтезу наноструктур, для якої
система розроблялася, структурна схема розроб-
леної мікропроцесорної системи, принципові
схеми окремих її блоків, алгоритми роботи, а та-
кож результати отриманих нітридних і оксиніт-
иідних плівок титану нанорозмірної товщини.
3. Popovic N. et al. TiN thin films deposited by ion
beam sputtering: effects of energetic particles
bombardment//Thin Solid Films. – 2004. –
Vol. 459. – P. 286-291.
4. Комаров Ф.Ф. и др. Экспериментальная уста-
новка с одним ионным пучком и новый метод
одновременного осаждения слоев металлов
и имплантации//Журнал технической фи-
зики.–2003. – Т. 73, Вып. 5. – С. 109-114.
5. RS-422 and RS-485 Application Note/B&B
Electronics Mfg. Co. Inc-http://www.bb-
elec.com/bb-elec/literature/tech/485appnote.pdf
6. Спецификация протокола WAKE – http://
www.spetspribor.com/support/software/wake/
dn_wake/wake.pdf
7. Kimball R. The Soul of Data Warehouse//Data
Warehouse Designer, April, 2003.
8. Garcia-Molina H., Labio W.J., Wiener J.L. Dist-
ributed and Parallel Computing Issues in Data
Warehousing//Data Warehouse Designer, 2004.
9. LabVIEW Basics. Course Manual/Infoscience
Portail. – http://infoscience.epfl.ch, 2000, Edi-
tion.
СТАБИЛИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДОВ И ОКСИНИТРИДОВ ...
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7866 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:07:09Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Деревянко, А.В. Стервоедов, А.Н. Силкин, М.Ю. 2010-04-19T14:47:10Z 2010-04-19T14:47:10Z 2008 Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов / А.В. Деревянко, А.Н. Стервоедов, М.Ю. Силкин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 114-120. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7866 539.23; 621.793.184 В работе представлена комплексная система мониторинга, управления и стабилизации процесса ионно-лучевого осаждения. Также описана процедура оптимизации параметров процесса получения наноразмерных нитридных и оксинитридных пленок и наногетероструктур на основе титана. В работе приведена схема технологической части установки ионно-лучевого осаждения функциональных пленок и синтеза наногетероструктур, для которой система разрабатывалась, описана структурная схема микропроцессорной системы управления, принципиальные схемы отдельных ее блоков, алгоритмы работы, а также результаты исследования полученных нитридных и оксинитридных пленок титана наноразмерной толщины. У даній роботі представлена розроблена комплексна система моніторингу, управління і стабілізації процесу іонно-променевого осадження, а також описана оптимізація параметрів здобуття нанорозмірних нітридних і оксинітридних плівок і наногетероструктур на основі титану. У роботі представлена схема технологічної частини установки іонно-променевого осадження функціональних плівок і синтезу наноструктур, для якої система розроблялася, структурна схема розробленої мікропроцесорної системи, принципові схеми окремих її блоків, алгоритми роботи, а також результати отриманих нітридних і оксинітиідних плівок титану нанорозмірної товщини. The integrated system developed for the ion-beam deposition process monitoring, control and stabilizing is presented in this work. Also nitride and oxynitride nanoscale titanium films and structures parameters obtaining optimization method is described. The scheme of the functional films and synthesis of nanoscale structures ion-beam deposition plant, which the system was developed for, flow diagram of the developed microsystem, schemes of its separate blocks, algorithms of work, and also results of obtaining nitride and oxynitride nano-sized titanium films are presented. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов Стабілізація процесу іонно-променевого осадження нанорозмірних плівок нітридів та оксинітридів металів Ion-beam deposition of ultrathin metall nitride and oxynitride films process stabilization Article published earlier |
| spellingShingle | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов Деревянко, А.В. Стервоедов, А.Н. Силкин, М.Ю. |
| title | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов |
| title_alt | Стабілізація процесу іонно-променевого осадження нанорозмірних плівок нітридів та оксинітридів металів Ion-beam deposition of ultrathin metall nitride and oxynitride films process stabilization |
| title_full | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов |
| title_fullStr | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов |
| title_full_unstemmed | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов |
| title_short | Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов |
| title_sort | стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7866 |
| work_keys_str_mv | AT derevânkoav stabilizaciâprocessaionnolučevogoosaždeniânanorazmernyhplenoknitridovioksinitridovmetallov AT stervoedovan stabilizaciâprocessaionnolučevogoosaždeniânanorazmernyhplenoknitridovioksinitridovmetallov AT silkinmû stabilizaciâprocessaionnolučevogoosaždeniânanorazmernyhplenoknitridovioksinitridovmetallov AT derevânkoav stabílízacíâprocesuíonnopromenevogoosadžennânanorozmírnihplívoknítridívtaoksinítridívmetalív AT stervoedovan stabílízacíâprocesuíonnopromenevogoosadžennânanorozmírnihplívoknítridívtaoksinítridívmetalív AT silkinmû stabílízacíâprocesuíonnopromenevogoosadžennânanorozmírnihplívoknítridívtaoksinítridívmetalív AT derevânkoav ionbeamdepositionofultrathinmetallnitrideandoxynitridefilmsprocessstabilization AT stervoedovan ionbeamdepositionofultrathinmetallnitrideandoxynitridefilmsprocessstabilization AT silkinmû ionbeamdepositionofultrathinmetallnitrideandoxynitridefilmsprocessstabilization |