Experimental study of accelerating field distribution optimization in the H-structure with comb holders

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2004
• Автори: Bryzgalov, G.A., Sokolenko, E.N
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
• Теми: Элементы ускорителей
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78708
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Experimental study of accelerating field distribution optimization in the H-structure with comb holders / G.A. Bryzgalov, E.N. Sokolenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 1. — С. 89-90. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.

We have suggested to perform the tuning the structure accelerating field distribution at the wave similar to H, by changing the inductivity of the holder of a single drift tube. Changing the angle of bend of the adjacent drift tube holders along different sides relatively to the comb holder plane allows one to increase and decrease the field amplitude in the gap between them. The value Rch ≈90 MОhm/m has been obtained for the structure under consideration that is higher than that obtained by known methods of tuning. Пропонується проводити настройку розподілу прискорюючого поля структури на хвилі, аналогічній Н, зміною індуктивності утримувача одиночної трубки дрейфу. Зміна кута повороту утримувачів сусідніх трубок дрейфу в різні боки щодо площини гребінчастого утримувача дає можливість як збільшувати, так і зменшувати амплітуду поля в зазорі між ними. Для структур, що розглядаються, отримано значення Rш ≈ 90 МОм⋅м⁻¹, що більш, ніж при відомих методах настройки. Предлагается проводить настройку распределения ускоряющего поля структуры на волне, аналогичной Н, изменением индуктивности держателя одиночной трубки дрейфа. Изменение угла поворота держателей соседних трубок дрейфа в разные стороны относительно плоскости гребенчатого держателя дает возможность как увеличивать, так и уменьшать амплитуду поля в зазоре между ними. Для рассматриваемых структур получено значение Rш ≈90 МОм⋅м⁻¹, что больше, чем при известных методах настройки.