Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении
В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7882 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862580035295117312 |
|---|---|
| author | Набиев, Г.А. |
| author_facet | Набиев, Г.А. |
| citation_txt | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого в частном случае получаются нормальный и аномальные фотовольтаические эффекты, а также переход аномального фотовольтаического эффекта в нормальный.
У роботі розроблена теорія особливостей фотовольтаїчного ефекту в напівпровідниках з р-n-р- переходами при неоднорідному освітленні. Отримано аналітичний вираз для фотонапруги в р-n-р-структурі та у плівці, що генерує аномально-велику фотонапругу при неоднорідному освітленні з якого в окремому випадку отримують нормальний, аномальні фотовольтаїчні ефекти й перехід аномального фотовольтаїчного ефекту в нормальний.
In the present, work the theory of special qualities of photovoltage with p-n-p-structure with nonsimilar lightning. Has been got analytical expression for the pholtage in p-n-p-structure and on the film, which generalizied anomalous high photo voltage with nonsimilar lightning because of with nonsimilar lightning beceouse uf what the normal, anomalоus photovoltage effect are issied, and the transference from anomalous photovoltage to normal voltage is possible.
|
| first_indexed | 2025-11-26T20:08:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7882 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T20:08:46Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Набиев, Г.А. 2010-04-20T12:54:37Z 2010-04-20T12:54:37Z 2008 Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7882 621.315.592 В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого в частном случае получаются нормальный и аномальные фотовольтаические эффекты, а также переход аномального фотовольтаического эффекта в нормальный. У роботі розроблена теорія особливостей фотовольтаїчного ефекту в напівпровідниках з р-n-р- переходами при неоднорідному освітленні. Отримано аналітичний вираз для фотонапруги в р-n-р-структурі та у плівці, що генерує аномально-велику фотонапругу при неоднорідному освітленні з якого в окремому випадку отримують нормальний, аномальні фотовольтаїчні ефекти й перехід аномального фотовольтаїчного ефекту в нормальний. In the present, work the theory of special qualities of photovoltage with p-n-p-structure with nonsimilar lightning. Has been got analytical expression for the pholtage in p-n-p-structure and on the film, which generalizied anomalous high photo voltage with nonsimilar lightning because of with nonsimilar lightning beceouse uf what the normal, anomalоus photovoltage effect are issied, and the transference from anomalous photovoltage to normal voltage is possible. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении Особливості фотовольтаїчного ефекту у багатошарових напівпровідниках з р-n-p-переходами при неоднорідному освітленні Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении Набиев, Г.А. |
| title | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_alt | Особливості фотовольтаїчного ефекту у багатошарових напівпровідниках з р-n-p-переходами при неоднорідному освітленні Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning |
| title_full | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_fullStr | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_full_unstemmed | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_short | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_sort | особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7882 |
| work_keys_str_mv | AT nabievga osobennostifotovolʹtaičeskogoéffektavmnogosloinyhpoluprovodnikahspnpperehodamiprineodnorodnomosveŝenii AT nabievga osoblivostífotovolʹtaíčnogoefektuubagatošarovihnapívprovídnikahzrnpperehodamiprineodnorídnomuosvítlenní AT nabievga specialqualitiesofphotovoltageeffectinmultyleveledsemiconductorswithpnpstructurewithnonsimilarlightning |