Buchumschlag

Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении

В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
1. Verfasser:	Набиев, Г.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7882
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования
von: Чирадзе, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами
von: Максимов, П.П.
Veröffentlicht: (2008)

Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
von: Стыров, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
von: Набиев, Г.А.
Veröffentlicht: (2008)

Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
von: Мирзаева, З.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Акустический аналог эффекта гигантского магнитосопротивления в металлических многослойных пленках
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Устойчивость пластины с трещиной при неоднородном докритическом состоянии
von: Коханенко, Е.Ю.
Veröffentlicht: (2007)

К теоpии скин-эффекта: учет пpиходного члена в интегpале столкновений
von: Каганов, М.И., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Об учете эффекта увлечения пpи pаспpостpанении волн четвеpтого звука в pаствоpе двух свеpхтекучих жидкостей
von: Вильчинский, С.И.
Veröffentlicht: (1998)

Методика расчета постоянства коэффициентов гигантского магниторезистивного эффекта в многослойных квазиодномерных структурах
von: Труханов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Трехмерная устойчивость цилиндра при неоднородном начальном состоянии
von: Коханенко, Ю.В.
Veröffentlicht: (2009)

Образно-метафорические синтаксические структуры в лингвокогнитивном освещении
von: Селиванова, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)

Атрибутные транзиционные системы со скрытыми переходами
von: Скобелев, В.В.
Veröffentlicht: (2017)

Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов
von: Жернов, А.П.
Veröffentlicht: (2002)

Усталость и неупругость металлов при неоднородном напряженном состоянии
von: Трощенко, В.Т.
Veröffentlicht: (2010)

Индуцированное магнитным полем увеличение продольного эффекта Керра в многослойных пленках Co/Cu(111)
von: Лукиенко, И.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Ток-фазовая зависимость свеpхпpоводящего коpоткого мостика с туннельным баpьеpом
von: Гогадзе, Г.А.
Veröffentlicht: (1998)

Караимская тема в СМИ (к вопросу об ответственности журналиста при освещении этнических проблем)
von: Яблоновская, Н.В.
Veröffentlicht: (2008)

Квазигомогенная модель газодисперсных течений с химическими реакциями и фазовыми переходами
von: Тимошенко, В.И.
Veröffentlicht: (2018)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
von: Gorban, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2010)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (обзор)
von: Толмачев, И.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности pезонансного pассеяния фононов плоским дефектом в ГЦК кpисталле
von: Косевич, А.М., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Идентификация параметров задачи термоупругости тонкостенных систем при неоднородном напряженно-деформированном состоянии
von: Гук, Н.А.
Veröffentlicht: (2011)

Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках
von: Атакулов, Ш.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности магнитного упорядочения многослойных пленок Fe/Au/Tb
von: Калита, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Технологические особенности производства биметаллических (многослойных) отливок повышенной износостойкости
von: Ширяев, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)