Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении
В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7882 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования
за авторством: Чирадзе, Г.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Чирадзе, Г.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами
за авторством: Максимов, П.П.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Максимов, П.П.
Опубліковано: (2008)
Особенности англоязычного библейского дискурса в лингвокультурологическом освещении
за авторством: Михайлова, Е.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Михайлова, Е.В.
Опубліковано: (2007)
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)
Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2012)
Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
за авторством: Мирзаева, З.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мирзаева, З.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
за авторством: Набиев, Г.А.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Набиев, Г.А.
Опубліковано: (2008)
Акустический аналог эффекта гигантского магнитосопротивления в металлических многослойных пленках
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (1995)
Образно-метафорические синтаксические структуры в лингвокогнитивном освещении
за авторством: Селиванова, Е.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Селиванова, Е.А.
Опубліковано: (2004)
Устойчивость пластины с трещиной при неоднородном докритическом состоянии
за авторством: Коханенко, Е.Ю.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Коханенко, Е.Ю.
Опубліковано: (2007)
К теоpии скин-эффекта: учет пpиходного члена в интегpале столкновений
за авторством: Каганов, М.И., та інші
Опубліковано: (1997)
за авторством: Каганов, М.И., та інші
Опубліковано: (1997)
Об учете эффекта увлечения пpи pаспpостpанении волн четвеpтого звука в pаствоpе двух свеpхтекучих жидкостей
за авторством: Вильчинский, С.И.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Вильчинский, С.И.
Опубліковано: (1998)
Методика расчета постоянства коэффициентов гигантского магниторезистивного эффекта в многослойных квазиодномерных структурах
за авторством: Труханов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Труханов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Трехмерная устойчивость цилиндра при неоднородном начальном состоянии
за авторством: Коханенко, Ю.В.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коханенко, Ю.В.
Опубліковано: (2009)
Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов
за авторством: Жернов, А.П.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Жернов, А.П.
Опубліковано: (2002)
Атрибутные транзиционные системы со скрытыми переходами
за авторством: Скобелев, В.В.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Скобелев, В.В.
Опубліковано: (2017)
Усталость и неупругость металлов при неоднородном напряженном состоянии
за авторством: Трощенко, В.Т.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Трощенко, В.Т.
Опубліковано: (2010)
О влиянии эффекта увлечения на акустические моды в двухконденсатных pелятивистских свеpхтекучих системах
за авторством: Вильчинский, С.И.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Вильчинский, С.И.
Опубліковано: (1999)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Караимская тема в СМИ (к вопросу об ответственности журналиста при освещении этнических проблем)
за авторством: Яблоновская, Н.В.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Яблоновская, Н.В.
Опубліковано: (2008)
Индуцированное магнитным полем увеличение продольного эффекта Керра в многослойных пленках Co/Cu(111)
за авторством: Лукиенко, И.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лукиенко, И.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
за авторством: Савченко, Е.В., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Савченко, Е.В., та інші
Опубліковано: (1996)
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
за авторством: Аверкиев, Н.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Аверкиев, Н.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Ток-фазовая зависимость свеpхпpоводящего коpоткого мостика с туннельным баpьеpом
за авторством: Гогадзе, Г.А.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Гогадзе, Г.А.
Опубліковано: (1998)
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (обзор)
за авторством: Толмачев, И.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Толмачев, И.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Квазигомогенная модель газодисперсных течений с химическими реакциями и фазовыми переходами
за авторством: Тимошенко, В.И.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Тимошенко, В.И.
Опубліковано: (2018)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2004)