Cover Image

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів

Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2008
Main Author: Воробець, М.О.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7890
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів / М.О. Воробець // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items