Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектро...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Миронов, А.М., Купчишин, А.И. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
О влиянии средних наклонов атмосферных слоев равной плотности на астрономическую рефракцию
за авторством: Канторов, А.Ф.
Опубліковано: (1985)
за авторством: Канторов, А.Ф.
Опубліковано: (1985)
Применение метода усредненных резонансов (МУР) в реакциях захвата протонов низких энергий
за авторством: Немашкало, Б.А.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Немашкало, Б.А.
Опубліковано: (1999)
Ускоренное формирование силицидных слоев на молибдене
за авторством: Литовченко, С.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Литовченко, С.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Контроль и формирование пучка протонов линейного ускорителя ИЯИ РАН на мишени изотопного комплекса
за авторством: Брагин, С.Е., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Брагин, С.Е., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование неоднородной структуры в приповерхностных слоях NiTi в результате ионной имплантации
за авторством: Погребняк, А.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Погребняк, А.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование ультрадисперсного состояния поверхностных слоёв стали, легированной атомами металлов в режиме оплавления плазменной струёй
за авторством: Братушка, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Братушка, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
Взаимодействие пограничных слоев моря и атмосферы на малых и средних масштабах в прибрежной зоне
за авторством: Чухарев, А.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Чухарев, А.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
за авторством: Кучинский, П.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Кучинский, П.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (обзор)
за авторством: Толмачев, И.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Толмачев, И.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Спин-спиновая ЯМР релаксация протонов воды в силикагелях
за авторством: Алексеев, А.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Алексеев, А.Д., та інші
Опубліковано: (1998)
О стохастической динамике протонов в солнечных магнитных петлях
за авторством: Сенаторов, В.Н., та інші
Опубліковано: (1991)
за авторством: Сенаторов, В.Н., та інші
Опубліковано: (1991)
Формирование приповерхностных слоев при низкоэнергетичном высокодозном ионно-плазменном облучении поверхности меди
за авторством: Сафонов, В.И., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Сафонов, В.И., та інші
Опубліковано: (2000)
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
за авторством: Комаров, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Комаров, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Нейтронные поля в подкритическом реакторе, генерируемом пучком ускоренных протонов
за авторством: Гусев, Е.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Гусев, Е.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Новая методика исследования транспорта протонов в органических ионообменных мембранах
за авторством: Ткаченко, Т.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ткаченко, Т.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Факторы, определяющие готовность бластоцист мышей к имплантации
за авторством: Вагина, И.Н., та інші
Опубліковано: (1997)
за авторством: Вагина, И.Н., та інші
Опубліковано: (1997)
К теории операторных средних
за авторством: Арлинский, Ю.М.
Опубліковано: (1990)
за авторством: Арлинский, Ю.М.
Опубліковано: (1990)
Фазовые портреты деформационных эффектов в полупроводниках в импульсном режиме
за авторством: Дадамирзаев, М.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дадамирзаев, М.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
за авторством: Заболотный, М.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Заболотный, М.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
за авторством: Мирзаева, З.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мирзаева, З.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние стрикционной нелинейности на поверхностные волны в неоднородных полупроводниках
за авторством: Лапшин, В.И.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лапшин, В.И.
Опубліковано: (2009)
Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Изучение возможности работы накопителя протонов ИЯИ РАН при низких энергиях
за авторством: Моисеев, В.А.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Моисеев, В.А.
Опубліковано: (2008)
Измерение потерь пучка линейного ускорителя протонов по интенсивности нейтронного излучения
за авторством: Акулиничев, С.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Акулиничев, С.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Формирование специальных импульсов тока при параллельной работе емкостных накопителей энергии
за авторством: Петков, А.А.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Петков, А.А.
Опубліковано: (2010)
Расчет оптического покрытия с использованием рекурсивного построения слоев
за авторством: Жидков, В.А.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Жидков, В.А.
Опубліковано: (2013)
Структурные превращения в титане при имплантации ионов дейтерия и постимплантационных отжигах
за авторством: Морозов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Морозов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2002)
Источник питания с малым коэффициентом пульсаций для инжектора протонов технологического ускорителя
за авторством: Кривоносов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кривоносов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Электронные явления переноса электрического заряда в полупроводниках Ni₁₋ₓCdₓFe₂O₄
за авторством: Бушкова, В.С., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Бушкова, В.С., та інші
Опубліковано: (2017)
Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
за авторством: Суркова, Т.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Суркова, Т.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Оценка эффективности методов дооперационной профилактики ранних осложнений зубной имплантации
за авторством: Апухтин, Ю.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Апухтин, Ю.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Проект установки для наработки ПЭТ-радиоизотопов на линейном ускорителе протонов ИЯИ РАН
за авторством: Акулиничев, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Акулиничев, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD
за авторством: Ковальчук, И.К., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ковальчук, И.К., та інші
Опубліковано: (2007)
Генерация низкочастотных возмущений магнитного поля в корональных петлях пучками протонов и электронов
за авторством: Маловичко, П.П.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Маловичко, П.П.
Опубліковано: (2010)
О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Модификация метода с-средних на основе нелинейного векторного критерия
за авторством: Булат, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Булат, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
Об интегральных средних сумм Бохнера-Рисса
за авторством: Кузнецова, О.И.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Кузнецова, О.И.
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
О влиянии средних наклонов атмосферных слоев равной плотности на астрономическую рефракцию
за авторством: Канторов, А.Ф.
Опубліковано: (1985) -
Применение метода усредненных резонансов (МУР) в реакциях захвата протонов низких энергий
за авторством: Немашкало, Б.А.
Опубліковано: (1999) -
Ускоренное формирование силицидных слоев на молибдене
за авторством: Литовченко, С.В., та інші
Опубліковано: (2001) -
Контроль и формирование пучка протонов линейного ускорителя ИЯИ РАН на мишени изотопного комплекса
за авторством: Брагин, С.Е., та інші
Опубліковано: (2010) -
Формирование неоднородной структуры в приповерхностных слоях NiTi в результате ионной имплантации
за авторством: Погребняк, А.Д., та інші
Опубліковано: (2009)