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Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point

The self-consistent formation, observed in experiments, of the solitary barrier for plasma electrons and ions has been analytically described.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Вопросы атомной науки и техники
Datum:	2002
Hauptverfasser:	Barchuk, S.V., Lapshin, V.I., Maslov, V.I., Onishchenko, I.N., Tretyakov, V.N.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2002
Schlagworte:	Plasma electronics
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78923
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point / S.V. Barchuk, V.I. Lapshin, V.I. Maslov, I.N. Onishchenko, V.N. Tretyakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 5. — С. 98-100. — Бібліогр.: 1 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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