Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Barchuk, S.V., Lapshin, V.I., Maslov, V.I., Onishchenko, I.N., Tretyakov, V.N.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2002
• Schlagworte: Plasma electronics
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78923
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point / S.V. Barchuk, V.I. Lapshin, V.I. Maslov, I.N. Onishchenko, V.N. Tretyakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 5. — С. 98-100. — Бібліогр.: 1 назв. — англ.

The self-consistent formation, observed in experiments, of the solitary barrier for plasma electrons and ions has been analytically described.