Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия

Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия

Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кад...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2008
Hauptverfasser: Харченко, Н.М., Хрипунов, Г.С., Ли, Т.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7893
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия / Н.М. Харченко, Г.С. Хрипунов, Т.А. Ли // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С.128-133. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7893
record_format dspace
spelling Харченко, Н.М.
Хрипунов, Г.С.
Ли, Т.А.
2010-04-20T12:57:54Z
2010-04-20T12:57:54Z
2008
Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия / Н.М. Харченко, Г.С. Хрипунов, Т.А. Ли // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С.128-133. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7893
621.315.592
Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кадмия CdCl2H2O. В навеске длительное время хранившейся на воздухе выявлено образование новой фазы, очевидно гидрохлорида кадмия с более высоким содержанием H2O. Вакуумный отжиг шихты приводит к распаду этой фазы. По результатам исследований свойств пленок хлорида кадмия предложены технологические подходы для контролируемого проведения “хлоридной” обработки. Разработанные подходы были апробированы для модификации свойств слоев CdTe при изготовлении солнечных элементов стекло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au.
Для розробки промислової технології виготовлення плівкових сонячних елементів на основі гетеро переходу CdTe/CdS була проведена оптимізація процесу формування плівок хлориду кадмію методом вакуумного резистивного напилення. Встановлено, що склад напиленої плівки хлориду кадмію відповідає гідрохлориду кадмію CdCl2H2O. При зберіганні навіски на повітрі тривалий час виявлено формування нової фази, ймовірно гідрохлориду кадмію з більш високою вмістом H2O. Вакуумний відпал шихти призводить до розпаду цієї фази. За результатами досліджень властивостей плівок хлориду кадмію запропоновані технологічні підходи для контрольованого проведення “хлоридної” обробки. Розроблені підходи були апробовані для модифікації властивостей шарів CdTe при виготовленні сонячних елементів скло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au.
For creation of CdTe/CdS-solar cell industrial technology the optimization of cadmium chloride film formation process by vacuum resistive evaporation had been conducted. It was established that the composition of deposited film corresponded to cadmium hydrochloride CdCl2H2O. It was shown that longterm air storage of cadmium chloride powder led to formation of new phase liked to cadmium hydrochloride with the higher H2O-contents. The vacuum annealing resulted in disappearing of this phase. On the base of conducted researches of cadmium chloride film properties the technological approaches for controlled realization of chloride treatment were proposed. The offered technological approaches were approbated for modification of CdTe layer properties at manufacturing of solar cells.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
Оптимізація технології “хлоридної” обробки тонких плівок халькогеніду кадмію
Technology optimization of the chloride treatment of cadmium chalcogenide thin films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
spellingShingle Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
Харченко, Н.М.
Хрипунов, Г.С.
Ли, Т.А.
title_short Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_full Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_fullStr Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_full_unstemmed Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_sort оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
author Харченко, Н.М.
Хрипунов, Г.С.
Ли, Т.А.
author_facet Харченко, Н.М.
Хрипунов, Г.С.
Ли, Т.А.
publishDate 2008
language Russian
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Оптимізація технології “хлоридної” обробки тонких плівок халькогеніду кадмію
Technology optimization of the chloride treatment of cadmium chalcogenide thin films
description Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кадмия CdCl2H2O. В навеске длительное время хранившейся на воздухе выявлено образование новой фазы, очевидно гидрохлорида кадмия с более высоким содержанием H2O. Вакуумный отжиг шихты приводит к распаду этой фазы. По результатам исследований свойств пленок хлорида кадмия предложены технологические подходы для контролируемого проведения “хлоридной” обработки. Разработанные подходы были апробированы для модификации свойств слоев CdTe при изготовлении солнечных элементов стекло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au. Для розробки промислової технології виготовлення плівкових сонячних елементів на основі гетеро переходу CdTe/CdS була проведена оптимізація процесу формування плівок хлориду кадмію методом вакуумного резистивного напилення. Встановлено, що склад напиленої плівки хлориду кадмію відповідає гідрохлориду кадмію CdCl2H2O. При зберіганні навіски на повітрі тривалий час виявлено формування нової фази, ймовірно гідрохлориду кадмію з більш високою вмістом H2O. Вакуумний відпал шихти призводить до розпаду цієї фази. За результатами досліджень властивостей плівок хлориду кадмію запропоновані технологічні підходи для контрольованого проведення “хлоридної” обробки. Розроблені підходи були апробовані для модифікації властивостей шарів CdTe при виготовленні сонячних елементів скло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au. For creation of CdTe/CdS-solar cell industrial technology the optimization of cadmium chloride film formation process by vacuum resistive evaporation had been conducted. It was established that the composition of deposited film corresponded to cadmium hydrochloride CdCl2H2O. It was shown that longterm air storage of cadmium chloride powder led to formation of new phase liked to cadmium hydrochloride with the higher H2O-contents. The vacuum annealing resulted in disappearing of this phase. On the base of conducted researches of cadmium chloride film properties the technological approaches for controlled realization of chloride treatment were proposed. The offered technological approaches were approbated for modification of CdTe layer properties at manufacturing of solar cells.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7893
citation_txt Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия / Н.М. Харченко, Г.С. Хрипунов, Т.А. Ли // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С.128-133. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT harčenkonm optimizaciâtehnologiihloridnoiobrabotkitonkihplenokhalʹkogenidovkadmiâ
AT hripunovgs optimizaciâtehnologiihloridnoiobrabotkitonkihplenokhalʹkogenidovkadmiâ
AT lita optimizaciâtehnologiihloridnoiobrabotkitonkihplenokhalʹkogenidovkadmiâ
AT harčenkonm optimízacíâtehnologííhloridnoíobrobkitonkihplívokhalʹkogenídukadmíû
AT hripunovgs optimízacíâtehnologííhloridnoíobrobkitonkihplívokhalʹkogenídukadmíû
AT lita optimízacíâtehnologííhloridnoíobrobkitonkihplívokhalʹkogenídukadmíû
AT harčenkonm technologyoptimizationofthechloridetreatmentofcadmiumchalcogenidethinfilms
AT hripunovgs technologyoptimizationofthechloridetreatmentofcadmiumchalcogenidethinfilms
AT lita technologyoptimizationofthechloridetreatmentofcadmiumchalcogenidethinfilms
first_indexed 2025-12-07T15:27:16Z
last_indexed 2025-12-07T15:27:16Z
_version_ 1850863766207463424

Ähnliche Einträge