Зображення обкладинки

Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вопросы атомной науки и техники
Дата:	2001
Автори:	Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Dyomin, V.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79034
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, V.S. Dyomin // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 5. — С. 214-216. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)

Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)

Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Luminescent and radiation characteristics of monocrystalline diamond powders
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2019)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices
за авторством: Trubitsyn, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: A. L. Nikytenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: Nikytenko, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor&#039; System
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2013)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2017)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Radiation-induced effects in silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Monopolar photoconductivity of the inversion layer and &quot;slow&quot;-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrodes based on amorphous metallic aluminium alloys in hydrogen emission reactions
за авторством: L. M. Boichyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)

Polished surface roughness of optoelectronic components made of monocrystalline materials
за авторством: Ju. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)

Theoretical analysis of the efficiency of silicon solar cells with amorphized layers in the space charge region
за авторством: A. V. Kozynetz, та інші
Опубліковано: (2015)

Microhardness of helium-ion implanted iron-yttrium granate monocrystalline films
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015)