Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs
A possibility of full irradiation tests of semiconductor detectors and microelectronics using electron accelerators are considered in the present work. The techniques for irradiation and for detector tests were described. The data on the efficiency of electron and bremsstrahlung action on the Si bul...
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| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79269 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs / A.N. Dovbnya, N.I. Maslov, N.A. Dovbnya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 3. — С. 164-166. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
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