Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna
The penetration of electrostatic field outside the shield at the part the antenna faced to plasma is studied in the framework of two-dimensional numerical model. It is shown that single-layer Faraday shield does not have satisfactory shielding properties. The shielding can be improved sufficiently u...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79338 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna / V.E. Moiseenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 2. — С. 35-37. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862538312132067328 |
|---|---|
| author | Moiseenko, V.E. |
| author_facet | Moiseenko, V.E. |
| citation_txt | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna / V.E. Moiseenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 2. — С. 35-37. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The penetration of electrostatic field outside the shield at the part the antenna faced to plasma is studied in the framework of two-dimensional numerical model. It is shown that single-layer Faraday shield does not have satisfactory shielding properties. The shielding can be improved sufficiently using overlaying two-layer shield.
У рамках двовимірної числової моделі вивчено проникнення електростатичних полів крізь екран на його частині, що звернена до плазми. Показано, що одношаровий Фарадеївський екран не забезпечує екранування на прийнятному рівні. З використанням двошарового екрану екранування може бути суттєво поліпшене.
В рамках двумерной численной модели изучено проникновение электростатических полей сквозь экран на его участке, обращенном к плазме. Показано, что однослойный Фарадеевский экран не обеспечивает экранирование на приемлемом уровне. С использованием двухслойного экрана экранирование может быть существенно улучшено.
|
| first_indexed | 2025-11-24T14:16:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79338 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T14:16:14Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Moiseenko, V.E. 2015-03-31T13:33:52Z 2015-03-31T13:33:52Z 2005 Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna / V.E. Moiseenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 2. — С. 35-37. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.50.Qt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79338 The penetration of electrostatic field outside the shield at the part the antenna faced to plasma is studied in the framework of two-dimensional numerical model. It is shown that single-layer Faraday shield does not have satisfactory shielding properties. The shielding can be improved sufficiently using overlaying two-layer shield. У рамках двовимірної числової моделі вивчено проникнення електростатичних полів крізь екран на його частині, що звернена до плазми. Показано, що одношаровий Фарадеївський екран не забезпечує екранування на прийнятному рівні. З використанням двошарового екрану екранування може бути суттєво поліпшене. В рамках двумерной численной модели изучено проникновение электростатических полей сквозь экран на его участке, обращенном к плазме. Показано, что однослойный Фарадеевский экран не обеспечивает экранирование на приемлемом уровне. С использованием двухслойного экрана экранирование может быть существенно улучшено. The author is thankful to Prof. K.N. Stepanov for stimulating discussions and support and to Dr. A.I.Lyssoivan for discussion of the calculation results and of practical aspects of electrostatic shielding. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Magnetic confinement Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna Проникнення електростатичних полів крізь фарадеївський екран напіввиткової ВЧ антени Проникновение электростатических полей сквозь фарадеевский экран полувитковой ВЧ антенны Article published earlier |
| spellingShingle | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna Moiseenko, V.E. Magnetic confinement |
| title | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna |
| title_alt | Проникнення електростатичних полів крізь фарадеївський екран напіввиткової ВЧ антени Проникновение электростатических полей сквозь фарадеевский экран полувитковой ВЧ антенны |
| title_full | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna |
| title_fullStr | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna |
| title_full_unstemmed | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna |
| title_short | Penetration of electrostatic field through Faraday shield of ICRH strap antenna |
| title_sort | penetration of electrostatic field through faraday shield of icrh strap antenna |
| topic | Magnetic confinement |
| topic_facet | Magnetic confinement |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79338 |
| work_keys_str_mv | AT moiseenkove penetrationofelectrostaticfieldthroughfaradayshieldoficrhstrapantenna AT moiseenkove proniknennâelektrostatičnihpolívkrízʹfaradeívsʹkiiekrannapívvitkovoívčanteni AT moiseenkove proniknovenieélektrostatičeskihpoleiskvozʹfaradeevskiiékranpoluvitkovoivčantenny |