High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review)
The data on developing and creating high-voltage pulse modulators for linacs with using Insulator Gate Bipolar Transistors (IGBT) and Integrated Gate Commutate Thyristors (IGCT) are presented. Comparative analysis of main characteristics such as efficiency, reliability and cost are made for standa...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79363 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) / V.I. Beloglazov, V.S. Dyomin, L.S. Dovbush, A.I. Kosoj, S.M. Shkirida, Yu.D. Tur // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 117-119. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859779320536367104 |
|---|---|
| author | Beloglazov, V.I. Dyomin, V.S. Dovbush, L.S. Kosoj, A.I. Shkirida, S.M. Tur, Yu.D. |
| author_facet | Beloglazov, V.I. Dyomin, V.S. Dovbush, L.S. Kosoj, A.I. Shkirida, S.M. Tur, Yu.D. |
| citation_txt | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) / V.I. Beloglazov, V.S. Dyomin, L.S. Dovbush, A.I. Kosoj, S.M. Shkirida, Yu.D. Tur // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 117-119. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The data on developing and creating high-voltage pulse modulators for linacs with using Insulator Gate Bipolar
Transistors (IGBT) and Integrated Gate Commutate Thyristors (IGCT) are presented. Comparative analysis of main
characteristics such as efficiency, reliability and cost are made for standard modulator and semiconductor high voltage sources with different scheme topology.
Наводяться дані по розробці і створенню високовольтних (ВВ) імпульсних модуляторів для
прискорювачів з використанням біполярних транзисторів з ізольованим затвором IGBT і тиристорів, що
замикаються, з убудованим блоком керування типу IGCT. Проводиться порівняльний аналіз основних
характеристик, таких як ККД формування, надійність, вартість, для стандартних модуляторів і
напівпровідникових ВВ джерел з різною топологією схем.
Приводятся данные по разработке и созданию высоковольтных (ВВ) импульсных модуляторов для ускоителей с использованием биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT и запираемых тиристоров со встроенным блоком управления типа IGCT. Проводится сравнительный анализ основных характеристик, таких как КПД формирования, надежность, стоимость, для стандартных модуляторов и полупровoдниковых ВВ источников с различной топологией схем.
|
| first_indexed | 2025-12-02T09:20:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79363 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-02T09:20:28Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Beloglazov, V.I. Dyomin, V.S. Dovbush, L.S. Kosoj, A.I. Shkirida, S.M. Tur, Yu.D. 2015-03-31T14:45:19Z 2015-03-31T14:45:19Z 2004 High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) / V.I. Beloglazov, V.S. Dyomin, L.S. Dovbush, A.I. Kosoj, S.M. Shkirida, Yu.D. Tur // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 117-119. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 29.17.+w https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79363 The data on developing and creating high-voltage pulse modulators for linacs with using Insulator Gate Bipolar Transistors (IGBT) and Integrated Gate Commutate Thyristors (IGCT) are presented. Comparative analysis of main characteristics such as efficiency, reliability and cost are made for standard modulator and semiconductor high voltage sources with different scheme topology. Наводяться дані по розробці і створенню високовольтних (ВВ) імпульсних модуляторів для прискорювачів з використанням біполярних транзисторів з ізольованим затвором IGBT і тиристорів, що замикаються, з убудованим блоком керування типу IGCT. Проводиться порівняльний аналіз основних характеристик, таких як ККД формування, надійність, вартість, для стандартних модуляторів і напівпровідникових ВВ джерел з різною топологією схем. Приводятся данные по разработке и созданию высоковольтных (ВВ) импульсных модуляторов для ускоителей с использованием биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT и запираемых тиристоров со встроенным блоком управления типа IGCT. Проводится сравнительный анализ основных характеристик, таких как КПД формирования, надежность, стоимость, для стандартных модуляторов и полупровoдниковых ВВ источников с различной топологией схем. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Элементы ускорителей High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) Високовольтні модулятори для прискорювачів на основі твердотільних елементів Высоковольтные модуляторы для ускорителей на основе твердотельных элементов Article published earlier |
| spellingShingle | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) Beloglazov, V.I. Dyomin, V.S. Dovbush, L.S. Kosoj, A.I. Shkirida, S.M. Tur, Yu.D. Элементы ускорителей |
| title | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) |
| title_alt | Високовольтні модулятори для прискорювачів на основі твердотільних елементів Высоковольтные модуляторы для ускорителей на основе твердотельных элементов |
| title_full | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) |
| title_fullStr | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) |
| title_full_unstemmed | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) |
| title_short | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) |
| title_sort | high voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) |
| topic | Элементы ускорителей |
| topic_facet | Элементы ускорителей |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79363 |
| work_keys_str_mv | AT beloglazovvi highvoltagemodulatorsbasedonsolidstateelementsforlinacsreview AT dyominvs highvoltagemodulatorsbasedonsolidstateelementsforlinacsreview AT dovbushls highvoltagemodulatorsbasedonsolidstateelementsforlinacsreview AT kosojai highvoltagemodulatorsbasedonsolidstateelementsforlinacsreview AT shkiridasm highvoltagemodulatorsbasedonsolidstateelementsforlinacsreview AT turyud highvoltagemodulatorsbasedonsolidstateelementsforlinacsreview AT beloglazovvi visokovolʹtnímodulâtoridlâpriskorûvačívnaosnovítverdotílʹnihelementív AT dyominvs visokovolʹtnímodulâtoridlâpriskorûvačívnaosnovítverdotílʹnihelementív AT dovbushls visokovolʹtnímodulâtoridlâpriskorûvačívnaosnovítverdotílʹnihelementív AT kosojai visokovolʹtnímodulâtoridlâpriskorûvačívnaosnovítverdotílʹnihelementív AT shkiridasm visokovolʹtnímodulâtoridlâpriskorûvačívnaosnovítverdotílʹnihelementív AT turyud visokovolʹtnímodulâtoridlâpriskorûvačívnaosnovítverdotílʹnihelementív AT beloglazovvi vysokovolʹtnyemodulâtorydlâuskoriteleinaosnovetverdotelʹnyhélementov AT dyominvs vysokovolʹtnyemodulâtorydlâuskoriteleinaosnovetverdotelʹnyhélementov AT dovbushls vysokovolʹtnyemodulâtorydlâuskoriteleinaosnovetverdotelʹnyhélementov AT kosojai vysokovolʹtnyemodulâtorydlâuskoriteleinaosnovetverdotelʹnyhélementov AT shkiridasm vysokovolʹtnyemodulâtorydlâuskoriteleinaosnovetverdotelʹnyhélementov AT turyud vysokovolʹtnyemodulâtorydlâuskoriteleinaosnovetverdotelʹnyhélementov |