High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review)
The data on developing and creating high-voltage pulse modulators for linacs with using Insulator Gate Bipolar Transistors (IGBT) and Integrated Gate Commutate Thyristors (IGCT) are presented. Comparative analysis of main characteristics such as efficiency, reliability and cost are made for standa...
Gespeichert in:
| Datum: | 2004 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79363 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) / V.I. Beloglazov, V.S. Dyomin, L.S. Dovbush, A.I. Kosoj, S.M. Shkirida, Yu.D. Tur // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 117-119. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |