Buchumschlag

High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review)

The data on developing and creating high-voltage pulse modulators for linacs with using Insulator Gate Bipolar
 Transistors (IGBT) and Integrated Gate Commutate Thyristors (IGCT) are presented. Comparative analysis of main
 characteristics such as efficiency, reliability and cost are...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2004
Hauptverfasser: Beloglazov, V.I., Dyomin, V.S., Dovbush, L.S., Kosoj, A.I., Shkirida, S.M., Tur, Yu.D.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Schlagworte:
Элементы ускорителей
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79363
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:High voltage modulators based on solid-state elements for linacs (review) / V.I. Beloglazov, V.S. Dyomin, L.S. Dovbush, A.I. Kosoj, S.M. Shkirida, Yu.D. Tur // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 117-119. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge