Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field
The paper presents a model taking into account the time character of heat localization and distribution in semiconductor devices unlike the classical Wunsch-Bell linear model describing the thermal mechanism of EM-radiation action on REA. The classification of action levels is given. The nonlinear...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79398 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field / V.I. Chumakov, N.I. Slichenko, A.V. Stolarhuk, A.M. Egorov, Yu.F. Lonin // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 203-205. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |