Влияние ионноимплантированного гелия на удержание дейтерия в стали Х18Н10Т
Представлены результаты по эволюции профилей распределения и термодесорбции гелия и дейтерия, ионно-имплантированных в сталь Х18Н10Т. Изучены накопление, распределение по образцу, термоактивированное выделение
 гелия и водорода и влияние совместного внедрения гелия и водорода на эти процессы...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79535 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние ионноимплантированного гелия на удержание дейтерия в стали Х18Н10Т / Г.Д. Толстолуцкая, В.В. Ружицкий, И.Е. Копанец, С.А. Карпов, В.В. Брык,
 В.Н. Воеводин // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 3. — С. 3-9. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Представлены результаты по эволюции профилей распределения и термодесорбции гелия и дейтерия, ионно-имплантированных в сталь Х18Н10Т. Изучены накопление, распределение по образцу, термоактивированное выделение
гелия и водорода и влияние совместного внедрения гелия и водорода на эти процессы.
Подані результати з еволюції профілей розподілу та термодесорбції гелію і дейтерію, іонноімплантованих в сталь
Х18Н10Т. Вивчені накопичення, розподіл по зразку, термоактивований вихід гелію і водню, а також вплив їх сумісного
впровадження на ці процеси.
The results are given on evolution of distribution profiles and thermal desorption of helium and deuterium that were ion implanted in the steel 18Cr10NiTi. The accumulation, depth distribution throughout specimen, thermal – activated release of helium
and of hydrogen and influence of simultaneous implantation of helium and of hydrogen on this processes were studied.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |