Плазмон-поляритонные поверхностные волны в неоднородных полупроводниковых структурах

• Datum: 2009
• 1. Verfasser: Лапшин, В.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2009
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7956
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Плазмон-поляритонные поверхностные волны в неоднородных полупроводниковых структурах / В.И. Лапшин // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 148-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Рассмотрены плазмон-поляритонные волны в неоднородных переходных слоях структур: полупроводник-полупроводник, полупроводник-диэлектрик, которые находятся в постоянном магнитном поле. Показано, что наличие области верхнего гибридного резонанса приводит к появлению новых поверхностных мод. Определены их дисперсионные характеристики. Розглянуто поверхневі плазмон-полярітонні хвилі в неоднорідних перехідних шарах структур: напівпровідник-напівпровідник, напівпровідникдіелектрік, які знаходяться у сталому магнітному полі. Показано, що наявність області верхнього гібридного резонансу призводить до появи нових поверхневих мод. Визначені їх дисперсійні характеристики. Surface plasmon-polariton waves in nonuniform transient layers of the semiconductor- semiconductor, semiconductor-dielectric structures are considered. The existence of the upper hybrid resonance region leads to appearance of the new surface modes. Theirs dispersion characteristics are defined.