Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si

• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Алимов, Н., Акбаров, К., Абдуллаев, К., Дадажонова, Х., Отажонов, С.М., Отажонова, Д., Рахмонкулов, М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2009
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7958
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si / Н. Алимов, К. Акбаров, К. Абдуллаев, Х. Дадажонова, С.М. Отажонов, Д. Отажонова, М. Рахмонкулов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 96-98. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

В гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти – наличие ассиметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их. У гетероструктурі р-CdTe-SiO2-Si легко реалізуються необхідні умови для існування оптичної спектральної пам’яті – наявність асиметричних мікропотенційних бар’єрів і глибоких уловлювачів. Час релаксації близько 25 діб. Гетероструктуру можна використовувати як оптоелектронну спектральну комірку пам’яті, здатну не тільки запам’ятовувати сигнали, але й підсумувати їх. In heterestructure р-CdTe-SiO2-Si it is easily realized necessary conduction for existence of optical spectral memory presence asymmetric micro potential barriers and deep equations. Time of a relaxation which happens about 25 days. Heterestructure it is possible to use as opto – electronic memory capable not only to remember signals, but also to summarize them.