Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si
В гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти – наличие ассиметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7958 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si / Н. Алимов, К. Акбаров, К. Абдуллаев, Х. Дадажонова, С.М. Отажонов, Д. Отажонова, М. Рахмонкулов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 96-98. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |