Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si
В гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти – наличие ассиметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Алимов, Н., Акбаров, К., Абдуллаев, К., Дадажонова, Х., Отажонов, С.М., Отажонова, Д., Рахмонкулов, М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7958 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si / Н. Алимов, К. Акбаров, К. Абдуллаев, Х. Дадажонова, С.М. Отажонов, Д. Отажонова, М. Рахмонкулов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 96-98. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
von: Жураев, Н., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Жураев, Н., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
von: Отажонов, С.М.
Veröffentlicht: (2004)
von: Отажонов, С.М.
Veröffentlicht: (2004)
The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
von: N. Alimov, et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: N. Alimov, et al.
Veröffentlicht: (2009)
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
von: Акбаров, К., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Акбаров, К., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Микроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Селективная спектроскопия примесных ионов Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅ , Gd₂SiO₅ , Lu₂SiO₅
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
The photo-sensitivity of APV-films in hethero-structures consisting of CDTE-SiO2-Si under action of external electric field
von: S. M. Otazhonov
Veröffentlicht: (2004)
von: S. M. Otazhonov
Veröffentlicht: (2004)
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Проявление квазисимметрии катионных узлов Gd₂SiO₅, ₂SiO₅ и Lu₂SiO₅ в спектрах примесного иона Pr³⁺
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Роль поверхности в формировании свойств пирогенных нанокомпозитов SiO₂-Al₂O₃, SiO₂-ТіO₂ и Al₂O₃-SiO₂-ТіO₂
von: Горбик, П.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Горбик, П.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Spectral-ellipsometric examining the films of gold nanoparticles on Si/SiO₂ substrate
von: Bortchagovsky, E.G., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Bortchagovsky, E.G., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
von: Yatsunskiy, I.R., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Yatsunskiy, I.R., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Water bounding peculiarities in SiO2 / laevomycetin and SiO2 / laevomycetin / AM1 composite systems
von: T. V. Krupskaja, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: T. V. Krupskaja, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Molecular dynamics calculation of thermal conductivity in a-SiO2 and an a-SiO2-based nanocomposite
von: V. V. Kuryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. V. Kuryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Molecular dynamics calculation of thermal conductivity in a-SiO2 and an a-SiO2-based nanocomposite
von: V. V. Kuryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. V. Kuryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Особенности связывания воды в композитних системах SiO₂ / левомицетин и SiO₂ / левомицетин / АМ1
von: Крупская, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Крупская, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films
von: Plyaka, S.N., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Plyaka, S.N., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Золь-гель-SiO₂-матрицы, легированные люминесцентными материалами
von: Ганина, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ганина, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Spectral-ellipsometric examining the films of gold nanoparticles on Si/SiO2 substrate
von: E. G. Bortchagovsky, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: E. G. Bortchagovsky, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure
von: I. R. Yatsunskiy, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: I. R. Yatsunskiy, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Дослідження взаємодії еритроцитів з пірогенними оксидами SiO2, Al2O3/SiO2 та TiO2/SiO2 шляхом вимірювання параметрів світлорозсіювання
von: Gerashchenko, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Gerashchenko, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Optical absorption of Bi₁₂SiO₂₀:Sn crystals
von: Panchenko, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Panchenko, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers
von: Indutnyi, I.Z., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Indutnyi, I.Z., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Thermal conductivity of argon–SiO₂ cryocrystal nanocomposite
von: Nikonkov, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Nikonkov, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Вторичные реакции этилена в синтезе Фишера–Тропша на Co/SiO2*Co(II)-, Co/SiO2*V(V)-и Co/SiO2*Zr(IV)-катализаторах
von: Якубович, М.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Якубович, М.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Спектральная теория струны
von: Кац, И.С.
Veröffentlicht: (1994)
von: Кац, И.С.
Veröffentlicht: (1994)
Ähnliche Einträge
-
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
von: Жураев, Н., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
von: Отажонов, С.М.
Veröffentlicht: (2004) -
The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
von: N. Alimov, et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
von: Акбаров, К., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Микроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)