Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3
Исследованы тензорезистивные свойства поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 при статических и циклических деформациях. Показано, что линейный участок ВАХ по напряжению (0; 5) В в результате действия N = 5•10^5 циклов деформаций расширяется до (0; 12) В, а ТКС – изменяется от α = –5,6•10^–3 K^–...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7959 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 / Ш.Д. Султонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 99-103. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860258058601496576 |
|---|---|
| author | Султонов, Ш.Д. Юлдашев, Н.Х. |
| author_facet | Султонов, Ш.Д. Юлдашев, Н.Х. |
| citation_txt | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 / Ш.Д. Султонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 99-103. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Исследованы тензорезистивные свойства поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 при статических и циклических деформациях. Показано, что линейный участок ВАХ по напряжению (0; 5) В в результате действия N = 5•10^5 циклов деформаций расширяется до (0; 12) В, а ТКС – изменяется от α = –5,6•10^–3 K^–1 при N = 0 до α = –2,5•10^–4 K^–1. Согласно феноменологическому расчету значение Tmin, при котором α = 0, увеличивается с ростом N.
Досліджені тензорезистивні властивості полікристалічних плівок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 при статичних і циклічних деформаціях. Показано, що лінійна ділянка ВАХ по напрузі (0; 5) В у результаті дії N = 5•10^5 циклів деформацій розширюється до (0; 12) В, а ТКС – змінюється від α= –5,6•10^–3 K^–1 при N = 0 до α = –2,5•10^–4 K^–1. Згідно феноменологічному розрахунку значення Tmin, при якому α = 0, збільшується з ростом N.
The tensoresistance properties of polycrystalline films (Bi0,3Sb0,7)2Te3 at static and cyclic deformations have been researched. It is shown, that a linear site volt-ampere the characteristic on a voltage (0; 5) V as a result of action N = 5•10^5 cycles of deformations extends up to (0; 12) V, and temperature factor of re-sistance – changes from α = –5,6•10^–3 K^–1 at N = 0 up to α = –2,5•10^–4 K^–1. According to phenomenological calculation value Тmin, at which α = 0, it is increased with growth of N.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:51:32Z |
| format | Article |
| fulltext |
ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 1-2, vol. 7, No. 1-2 99
ВВЕДЕНИЕ
С точки зрения технического применения
тонких пленок в качестве тензочувствитель-
ного элемента их вольт-амперная характерис-
тика (ВАХ) позволяет судить об энергети-
ческих возможностях тензорезисторов, если
под этим понимать ту максимальную мощ-
ность, которую допустимо выделить на тен-
зорезисторе при заданных условиях их экс-
плуатации. Это обусловлено тем, что полу-
проводниковые поликристаллические пленки
очень чувствительны к свету и изменениям
температуры [1], а при пропускании больших
токов через пленочные образцы может про-
исходить их джоулев нагрев, что соответст-
вующим образом отразится на их рабочих па-
раметрах. В частности, он приводит к нели-
нейной ВАХ и, тем самым, к увеличению по-
грешности в показаниях приборов. В на-
стоящей работе исследовано влияние стати-
ческих и циклических знакопеременных
деформаций (ЦЗПД) на ВАХ и температур-
ную зависимость сопротивления тензорезис-
тивных пленок (BixSb1–x)2Te3, применяемых
как датчика накопления усталостных пов-
реждений (ДНУП) [2 – 4].
МЕТОДИКА
Поликристаллические пленки (BixSb1–x)2Te3 с
площадью 5×20 мм2 получались методом
термического испарения в вакууме с дав-
лением остаточных паров (1 ÷ 3)⋅10–2 Па из
смеси порошков Bi2Te3 и Sb2Te3 в соотно-
шении x:(1 – x) моль%. Температура подлож-
ки из полиимида ПМ-1 варьировалась в
интервале ТП = 323 ÷ 423 К, а скорость роста
пленок – W = 150 ÷ 450 D/c. Наиболее тен-
зочувствительные (K ≈ 103 отн. ед.) пленки
получались при толщинах d = 3 ÷ 5 мкм,
ТП = 363 К, W = 200 D/c и при значении
х = 0,3. Методика измерения деформаци-
онных характеристик пленок была выбрана
также как и в работах [2, 3]. Образцы не
подвергались предварительной термической
обработке. Свежеприготовленные пленки
обладали неустойчивым коэффициентом К
тензочувствительности, обусловленном на-
личием сильных неравновесных внутренних
механических напряжений (ВМН) [3]. С
ростом циклов N ЦЗПД величина К моно-
тонно уменьшается, что говорит о возмож-
ности использования изготовленных пленок
в качестве ДНУП. Электронно-микроскопи-
ческие и рентгеноструктурные исследования
[1, 2] показали, что выращенные слои об-
ладают поликристаллической столбчатой
структурой. Размеры отдельных кристалли-
тов составили мкм5.11÷ .
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЯ
1. ВЛИЯНИЕ СТАТИЧЕСКОЙ И ЦЗПД
НА ВАХ ПЛЕНОК (Bi0,3Sb0,7)2Te3
Влияние статической деформации на ВАХ
пленки в интервале значений относительных
деформаций от 0 до ±10–3 отн. ед. показано
на рис. 1. Видно, что ВАХ исследуемых об-
разцов линейны в области относительно ма-
лых напряжений. С увеличением механичес-
кого напряжения линейность зависимости
УДК 621.315.592: 539.216.2
ВЛИЯНИЕ ЦИКЛИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК (Bi0,3Sb0,7)2Te3
Ш.Д. Султонов, Н.Х. Юлдашев
Ферганский политехнический институт
Узбекистан
Поступила в редакцию 21.04.2009
Исследованы тензорезистивные свойства поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 при
статических и циклических деформациях. Показано, что линейный участок ВАХ по
напряжению (0; 5) В в результате действия N = 5⋅105 циклов деформаций расширяется до (0;
12) В, а ТКС – изменяется от α = –5,6⋅10–3 K–1 при N = 0 до α = –2,5⋅10–4 K–1. Согласно
феноменологическому расчету значение Tmin, при котором α = 0, увеличивается с ростом N.
ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 1-2, vol. 7, No. 1-2100
тока от напряжения нарушается, что проис-
ходит, например, в недеформированном сос-
тоянии при Vn = (4 ÷ 5) B (кривая 1). Это ми-
нимальное – пороговое напряжение, при ко-
тором начинается нелинейность ВАХ, су-
щественно зависит от знака и амплитуды от-
носительной деформации: с ростом ε при де-
формации сжатия Vn уменьшается до (2 ÷
3) В (кривые 2 – 4), а при растяжении –
увеличивается до (5 ÷ 6) В (кривые 2′ – 4′),
что обусловлено наличием предварительных
ВМН [4].
Результаты исследования ВАХ пленок
(Bi0,3Sb0,7)2Te3, подвергавшихся ЦЗПД, пред-
ставлены на рис. 2. Из рисунка видно, что
ВАХ пленки существенно изменяются после
воздействия циклических деформаций
(N = 5⋅105). На всех кривых, снятых при раз-
личных значениях относительной деформа-
ции ε, четко прослеживается увеличение со-
противления пленки и значения напряжения
Vn перехода к нелинейному участку ВАХ.
Действие N = 5⋅105 циклов знакопеременных
деформаций приводит к увеличению Vn при
отсутствии деформации на пленке до (10 ÷
12) B (ср. кривые 1 на рис. 1 и 2), т.е. почти в
2 – 3 раза.
Поскольку при действии циклических де-
формаций в результате истирания контак-
тирующих поверхностей кристаллических
зерен увеличиваются расстояния между ни-
ми, то это и приводит к расширению линей-
ного участка ВАХ пленки до значений на-
пряжения (8 ÷ 10) В при растяжении (кривые
2 – 4 на рис. 2) и (12 ÷ 14) В при сжатии (2′ –
4′). Естественно, что тензометрические изме-
рения необходимо производить в линейной
области ВАХ. Следует учитывать возмож-
ности возникновения погрешности, связан-
ной с тем, что в приборах может идти элект-
рический ток довольно большой величины,
который разогревает тензорезистор и обу-
славливает появления также участка нели-
нейной ВАХ. При этом измеряется не номи-
нальное сопротивление, а статическое, со-
ответствующее определенной точке ВАХ.
Для снижения тока через тензорезистор мож-
но включать добавочное сопротивление,
предварительно измеренное с достаточной
точностью. Допустимая сила тока через тенз-
орезистор при этом должна быть практически
на порядок ниже силы тока, вызывающего
изменение механизма электропроводности в
пленке или разогрев тела тензодатчика. Ве-
личину этого тока можно грубо определить
Рис. 1. Вольт-амперные характеристики пленки
(Bi0,3Sb0,7)2Te3 на подложке полиимида ПМ-I, под дейс-
твием статической деформации: ε⋅103 = 0 (кривая1),
±0,3 (2, 2′), ±0,6 (3, 3′), ±0,9 (4, 4′). Кривые 2 – 4 сняты
при сжатии, 2′ – 4′ – при растяжении. Т = 300 К.
Рис. 2. Вольт-амперные характеристики пленки
(Bi0,3Sb0,7)2Te3 после воздействия N = 5⋅103 циклов
зна-копеременных нагружений. Кривые 1 – 4 и 2′ –
4′ соответствуют кривым 1 – 4 и 2′ – 4′ рис. 1.
ВЛИЯНИЕ ЦИКЛИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ...
ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 1-2, vol. 7, No. 1-2 101
по ВАХ. Обычно это то значение тока, при
котором ВАХ начинает отклоняться от
линейной зависимости, что и отчетливо
видно из рис. 1 и 2.
2. ВЛИЯНИЕ ЦЗПД НА ТЕМПЕРАТУР-
НУЮ ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕ-
НИЯ ПЛЕНОК (Bi0,3Sb0,7)2Te3
Тензометрические измерения производятся
при различных интервалах температур иссле-
дуемого объекта и окружающей его среды. С
целью уменьшения погрешности измерения
необходимо изготовить тензорезисторы с ми-
нимальным по абсолютной величине темпе-
ратурным коэффициентам сопротивления
(ТКС) и температурным коэффициентом тен-
зочувствительности (ТКК), которые опреде-
ляются по формулам:
dTR
dR
0
=α
, dTK
dK
0
=α′ , (1)
где R0 и K0 – сопротивление и тензочувст-
вительность при температуре T0 = 273 K в
заданном механическом состоянии пленок.
Поэтому изучение этих параметров полупро-
водниковых тензодатчиков представляет со-
бой интерес с точки зрения условий прак-
тического применения. Кроме того, такие и-
сследования в определенной степени помогут
объяснить природу физических процессов,
происходящих в такой неоднородной струк-
туре, как несплошная поликристаллическая
пленка, подвергающаяся механической де-
формации.
Температурная зависимость тензометри-
ческих параметров изготовленных пленок
(Bi0,3Sb0,7)2Te3 была исследована в диапазоне
температур от 293 до 455 К. Оказалось, что
при высоких температурах испарения или бо-
льших скоростях конденсации (W = 400 D/c)
и температурах подложки (Tn ≈ 413 K) полу-
чаются более плотные пленки (Bi0,3Sb0,7)2Te3
с небольшим коэффициентом тензочувстви-
тельности. Изменение их сопротивления с
температурой имеет зависимость, аналогич-
ную массивным материалам (α = 0,8510–4
град–1) и оно практически не изменялось пос-
ле воздействия ЦЗПД (кривая 1′ на рис. 3).
На рис. 3 представлены зависимости со-
противления пористой пленки (т.е. пленки,
имеющей коэффициент тензочувствительно-
сти К > 1000) от температуры до (кривая 1) и
после воздействия деформационных циклов
(кривые 2 – 6). При исследовании температур-
ной зависимости сопротивления этих пленоч-
ных элементов в интервале температур 293 –
413 К обнаружено, что в приведенном интер-
вале температур имеется участок с минималь-
ным значением сопротивления. С увеличе-
нием числа циклов знакопеременной дефор-
мации этот участок смещается в область бо-
лее высоких температур. Например, участку,
имеющему минимальное значение сопроти-
вления, до действия циклических деформа-
ций соответствовала температура Tmin = 333K
(точка А на кривой 1). После воздействия
1⋅105 циклов знакопеременных деформаций
этот участок сместился вправо, и соответст-
вующее значение температуры стало 348 К
(точка В на кривой 2), после воздействия 2⋅105
циклов – 363 К (точка С на кривой 3), а после
5⋅105 циклов деформации этому участку стала
соответствовать температура Tmin = 408 K
(точка F на кривой 6).
Таким образом, с ростом числа циклов на-
гружения положение минимума на темпера-
Рис. 3. Температурная зависимость сопротивления
пленок из (Bi0,3Sb0,7)2Te3, полученных на полиимидных
подложках при температурах Tn 413 K (кривая 1) и Tn
363 K (1 – 6) до (кривая 1) и после воздействия цик-
лических деформаций: для кривых 2 – 6, N⋅10–5 = 1;
2; 4 и 5, соответственно.
Ш.Д. СУЛТОНОВ, Н.Х. ЮЛДАШЕВ
ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 1-2, vol. 7, No. 1-2102
турной зависимости сопротивления смеща-
ется в область высоких температур. Следова-
тельно, зная смещение участка с минималь-
ным значением сопротивления на темпера-
турной зависимости, можно оценить число
циклов знакопеременной деформации, т.е.
пленочные элементы можно применять в ка-
честве датчика усталости деталей.
Из рис. 3 видно, что сопротивление плен-
ки с увеличением температуры сначала
уменьшается (α < 0), проходит через мини-
мум (α = 0), а затем начинает возрастать
(α > 0). После воздействия деформационных
циклов положение минимума Tmin для кри-
вых 2 – 6 не только сдвигается в область более
высоких температур, но и ТКС пленки су-
щественно изменяется. С ростом N темпера-
тура Tmin монотонно увеличивается и выходит
к насыщению, а ТКС – монотонно умень-
шается, падая от (α = –5,6⋅10–3 град–1 при
N = 0 до α = –2,56⋅10–4 град–1 при N = 5⋅105.
Таким образом, ЦЗПД уменьшает по модулю
ТКС пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3.
Температурную зависимость сопротив-
ления пленки и изменение ее под действием
ЦЗПД можно описать качественно на основе
модельного представления [4, 5], согласно ко-
торой сопротивление пленки рассматрива-
ется как совокупность последовательно сое-
диненных сопротивлений зазоров Rпор,i и от-
дельных кристаллических зерен (микробло-
ков) Rк.з.i
( )� +=+=
i
RRRRR поркрпор.iк.з.iпл . (2)
Сопротивление пленки, обусловленное
только кристаллическими зернами Rкp, зав-
исит от температуры как
( )[ ]0кр
0
кркр 1 ТТRR −α+= , (3)
характерной для резисторов из массивного
монокристаллического материала, где 0
крR –
сопротивление плотной пленки при
T0 = 273 K, Т – абсолютная температура.
Для пленки, полученной при оптимальных
технологических условиях (Tn = 363 K,
W = 200 D/c), микропоры в направлении
прохождения электрического тока имеют до-
статочно малые линейные размеры, толщина
их d ≤ (30 ÷ 50) D [3]. Они образуют для
электронов микропотенциальные барьеры с
конечной шириной dпор и энергетической вы-
сотой Епор. Тогда токопрохождение через та-
кие барьеры определяется в основном тун-
нельным или надбарьерным (шоттковским)
механизмом и соответственно сопротивление
пленки, обусловленное наличием пор (потен-
циальных барьеров), будет изменяться с тем-
пературой как
кТ
Е
RR пор0
порпор exp⋅≈ , (4)
где 0
порR – некоторое характерное сопротив-
ление пористой пленки, слабо зависящее от
температуры, к – постоянная Больцмана.
С учетом (2), (3) и (4) температурную зави-
симость сопротивления пористой пленки мо-
жем записать в виде
( ) ( )[ ]
кТ
E
RТТRТR пор0
пор0кр
0
крпл exp1 +−α+= . (5)
Температурный коэффициент сопротивления
пленки определим согласно (1) и (5)
( )
0
пор
0
кр
пор2
пор0
кркр
пл RR
ТR
кТ
Е
R
+
⋅−⋅α
=α . (6)
Отсюда, действительно, в соответствии с ре-
зультатами рис. 3 следует, что, если например,
при Т = Т0 выполняется условие
( )0пл2
0
пор0
кркр ТR
кТ
Е
R ⋅<α ,
то пленка обладает сначала отрицательным
ТКС, который с увеличением температуры
монотонно убывает и при некотором Tmin об-
ращается в нуль, а затем меняет знак. Из (6)
находим, что Tmin определяется из следующей
трансцендентной формулы
( ) 2/1
0
кр
minпор
кр
пор
min
⋅
α
=
R
ТR
к
E
Т , (7)
или приближенно из
( ) 2/1
0
кр
0пор
кр
пор
min
⋅
α
=
R
ТR
к
E
Т . (7′)
Поскольку величины Епор, αкр,
0
кр
R практи-
чески не зависят от ЦЗПД, а сопротивление
ВЛИЯНИЕ ЦИКЛИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ...
ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 1-2, vol. 7, No. 1-2 103
межкристаллитных областей Rпор(T0) уве-
личивается с ростом N, то в соответствии с
рис. 3 и формулой (7′) значение Tmin растет
как Tmin∼ (Rпор(T0, N))1/2 и при больших
N ∼ 5⋅105 испытывает тенденции к насыще-
нию (точки А, В, С, D, F на кривых 2 – 6).
Таким образом, ТКС пленки в области темпе-
ратур minTT < определяется в основном тем-
пературной зависимостью сопротивления
пленок, обусловленное ее сильно неоднород-
ной структурой, а при Т > Тmin – температур-
ной зависимостью сопротивления кристал-
лических зерен пленки, т.е. массивного ма-
териала. При воздействии деформационных
циклов толщина диэлектрических прослоек
а результате истирания контактирующих кри-
сталлитов возрастает, приводя заведомо к воз-
растанию Епор и Rпор, следовательно, к изме-
нению положения Тmin на температурной зави-
симости сопротивления.
ВЫВОДЫ
В заключение лишний раз отметим, что по-
ристые поликристаллические пленки из
тройного соединения (Bi0,3Sb0,7)2Te3 с успехом
могут быть использованы в качестве ДНУП
в интервале температур T = 273 ÷ 413 K и
значении ЦЗПД N = 0 ÷ 5⋅105.
ЛИТЕРАТУРA
1. Каримов М., Хайдаров А., Юлдашев Н. Роль
границ раздела зерен в люкс-амперной ха-
рактеристике поликристаллической пленки
твердого раствора CdSexS1-x//Поверхность. –
2006. – № 5. – С. 88-93.
2. Султонов Ш.Д. Зависимость электропровод-
ности композитных пленок (BixSb1-x)2Te3 от
частоты переменного тока. Влияние цикли-
ческих деформаций//Мат. 28 Меж. конф.
“Композиционные материалы в промышлен-
ности”, Ялта, (Крым). – 2008. – С. 501-504.
3. Атакулов Б., Абдуллаев Э.А., Ахмедов М.М.,
Юлдашев Н.Х. Получение и исследование
состава, структуры и тензометрических
свойств полупроводниковых пленок
(BixSb1-x)2Te3//Рус. Деп. В ВИНИТИ Дек. –
1986. № 10985.
4. Абдуллаев Э., Султонов Ш., Юлдашев Н.
Эффект пьезосопротивления в халькогенидах
свинца и висмута. Часть II. – Фергана: “Фар-
гона”, 2006. – 118 с.
5. Ахмедов М.М. Температурная зависимость
сопротивления теллурида висмута и сурьмы
при циклических деформациях//Проблемы
автоматизации в прочностном эксперименте.
М.: ЦНТЛ “Волна”, 1986. – С. 171-175.
THE INFLUENCE OF CYCLIC
DEFORMATIONS ON THE
ELEKTROPHYSICAL CHARACTERISTICS
OF P OLYCRYSTALLINE THIN FILMS
(Bi0,3Sb0,7)2Te3
Sh.D. Sultonov, N.Kh. Yuldashev
The tensoresistance properties of polycrystalline
films (Bi0,3Sb0,7)2Te3 at static and cyclic deformations
have been researched. It is shown, that a linear site
volt-ampere the characteristic on a voltage (0; 5) V
as a result of action N = 5⋅105 cycles of deformations
extends up to (0; 12) V, and temperature factor of
re-sistance – changes from α = –5,610–3 К–1 at N = 0
up to α = –2,5⋅10–4 К–1. According to pheno-
menological calculation value Тmin, at which α = 0,
it is increased with growth of N.
ВПЛИВ ЦИКЛІЧНИХ ДЕФОРМАЦІЙ НА
ЭЛЕКТРОФІЗИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ПОЛІКРИСТАЛІЧНИХ ПЛІВОК
(Bi0,3Sb0,7)2Te3
Ш.Д. Султонов, Н.Х. Юлдашев
Досліджені тензорезистивні властивості полікри-
сталічних плівок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 при статичних і
циклічних деформаціях. Показано, що лінійна ді-
лянка ВАХ по напрузі (0; 5) В у результаті дії
N = 5⋅105 циклів деформацій розширюється до
(0; 12) В, а ТКС – змінюється від α= –5,6⋅10–3K–1
при N = 0 до α = –2,5⋅10–4 K–1. Згідно феномено-
логічному розрахунку значення Tmin, при якому
α = 0, збільшується з ростом N.
Ш.Д. СУЛТОНОВ, Н.Х. ЮЛДАШЕВ
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7959 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:51:32Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Султонов, Ш.Д. Юлдашев, Н.Х. 2010-04-22T17:02:44Z 2010-04-22T17:02:44Z 2009 Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 / Ш.Д. Султонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 99-103. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7959 621.315.592: 539.216.2 Исследованы тензорезистивные свойства поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 при статических и циклических деформациях. Показано, что линейный участок ВАХ по напряжению (0; 5) В в результате действия N = 5•10^5 циклов деформаций расширяется до (0; 12) В, а ТКС – изменяется от α = –5,6•10^–3 K^–1 при N = 0 до α = –2,5•10^–4 K^–1. Согласно феноменологическому расчету значение Tmin, при котором α = 0, увеличивается с ростом N. Досліджені тензорезистивні властивості полікристалічних плівок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 при статичних і циклічних деформаціях. Показано, що лінійна ділянка ВАХ по напрузі (0; 5) В у результаті дії N = 5•10^5 циклів деформацій розширюється до (0; 12) В, а ТКС – змінюється від α= –5,6•10^–3 K^–1 при N = 0 до α = –2,5•10^–4 K^–1. Згідно феноменологічному розрахунку значення Tmin, при якому α = 0, збільшується з ростом N. The tensoresistance properties of polycrystalline films (Bi0,3Sb0,7)2Te3 at static and cyclic deformations have been researched. It is shown, that a linear site volt-ampere the characteristic on a voltage (0; 5) V as a result of action N = 5•10^5 cycles of deformations extends up to (0; 12) V, and temperature factor of re-sistance – changes from α = –5,6•10^–3 K^–1 at N = 0 up to α = –2,5•10^–4 K^–1. According to phenomenological calculation value Тmin, at which α = 0, it is increased with growth of N. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 Вплив циклічних деформацій на электрофізичні характеристики полікристалічних плівок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 The influence of cyclic deformations on the elektrophysical characteristics of p olycrystalline thin films (Bi0,3Sb0,7)2Te3 Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 Султонов, Ш.Д. Юлдашев, Н.Х. |
| title | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 |
| title_alt | Вплив циклічних деформацій на электрофізичні характеристики полікристалічних плівок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 The influence of cyclic deformations on the elektrophysical characteristics of p olycrystalline thin films (Bi0,3Sb0,7)2Te3 |
| title_full | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 |
| title_fullStr | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 |
| title_full_unstemmed | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 |
| title_short | Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3 |
| title_sort | влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (bi0,3sb0,7)2te3 |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7959 |
| work_keys_str_mv | AT sultonovšd vliâniecikličeskihdeformaciinaélektrofizičeskieharakteristikipolikristalličeskihplenokbi03sb072te3 AT ûldaševnh vliâniecikličeskihdeformaciinaélektrofizičeskieharakteristikipolikristalličeskihplenokbi03sb072te3 AT sultonovšd vplivciklíčnihdeformacíinaélektrofízičníharakteristikipolíkristalíčnihplívokbi03sb072te3 AT ûldaševnh vplivciklíčnihdeformacíinaélektrofízičníharakteristikipolíkristalíčnihplívokbi03sb072te3 AT sultonovšd theinfluenceofcyclicdeformationsontheelektrophysicalcharacteristicsofpolycrystallinethinfilmsbi03sb072te3 AT ûldaševnh theinfluenceofcyclicdeformationsontheelektrophysicalcharacteristicsofpolycrystallinethinfilmsbi03sb072te3 |