Влияние стрикционной нелинейности на поверхностные волны в неоднородных полупроводниках

Рассмотрено влияние стрикционной нелинейности на плазмон-поляринонные поверхностные волны на границе полупроводник-металл при наличии в неоднородном переходном слое в полупроводнике области верхнего гибридного резонанса. Нелинейное изменение плотности электронов за счет стрикционной нелинейности при...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
1. Verfasser: Лапшин, В.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7970
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние стрикционной нелинейности на поверхностные волны в неоднородных полупроводниках / В.И. Лапшин // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 130-132. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Рассмотрено влияние стрикционной нелинейности на плазмон-поляринонные поверхностные волны на границе полупроводник-металл при наличии в неоднородном переходном слое в полупроводнике области верхнего гибридного резонанса. Нелинейное изменение плотности электронов за счет стрикционной нелинейности приводит к формированию мелкомасштабной нелинейной волны. Розглянуто вплив стрикційної нелінійності на плазмон-полярітонні поверхневі хвилі на межі напівпровідник-метал при наявності в неоднорідному перехідному шарі у напівпровіднику області верхнього гібридного резонансу. Нелінійна зміна щільності електронів за рахунок стрикційної нелінійності у резонансній області може призвести до формування дрібномасштабної нелінійної хвилі. The effect of striction nonlinearity on the structure of the surface plasmon-polariton waves in a semiconductor bounded by a metal when a point of the upper hybrid resonance in nonuniform semiconductor transient layer exists is considered. The striction nonlinearity changes the electron density in the resonance region and can lead to the formation of nonlinear small scale wave.
ISSN:1999-8074