Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсени...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7975 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862731699201245184 |
|---|---|
| author | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. |
| author_facet | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. |
| citation_txt | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсенидгаллиевые трехбарьерные фотодиодные структуры благодаря низким значениям емкости обладают высоким частотным диапазоном.
На підставі спаду фотонапруги при порушенні трьохбар’єрної фотодіодної nGaAs-Ag-структури прямокутним світловим імпульсом від світлодіода з λ= 0,95 мкм визначені часи життя неосновних носіїв, квантова ефективність для заданої напруги. Розрахункові дані показують, що арсенідгалієві трьохбар’єрної фотодіодної структури завдяки низьким значенням ємності володіють високим частотним діапазоном.
On the basis of photovoltage drop at excitation three-barrier photodiode Ag-pGaAs-nGaAs-Agstructure by a rectangular light impulse from the light diode with λ= 0,95 μm the minority carriers lifetimes, quantum efficiency for given voltage are determined. The design data demonstrate that gallium-arsenide three-barrier photodiode structures due to low values of capacity have high frequency band.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:27:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7975 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:27:07Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. 2010-04-23T11:14:19Z 2010-04-23T11:14:19Z 2009 Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7975 621.315.592 На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсенидгаллиевые трехбарьерные фотодиодные структуры благодаря низким значениям емкости обладают высоким частотным диапазоном. На підставі спаду фотонапруги при порушенні трьохбар’єрної фотодіодної nGaAs-Ag-структури прямокутним світловим імпульсом від світлодіода з λ= 0,95 мкм визначені часи життя неосновних носіїв, квантова ефективність для заданої напруги. Розрахункові дані показують, що арсенідгалієві трьохбар’єрної фотодіодної структури завдяки низьким значенням ємності володіють високим частотним діапазоном. On the basis of photovoltage drop at excitation three-barrier photodiode Ag-pGaAs-nGaAs-Agstructure by a rectangular light impulse from the light diode with λ= 0,95 μm the minority carriers lifetimes, quantum efficiency for given voltage are determined. The design data demonstrate that gallium-arsenide three-barrier photodiode structures due to low values of capacity have high frequency band. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи Article published earlier |
| spellingShingle | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. |
| title | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_full | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_fullStr | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_full_unstemmed | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_short | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_sort | трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7975 |
| work_keys_str_mv | AT edgorovadm trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedineniiarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi AT karimovav trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedineniiarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi AT kamonovbm trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedineniiarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi AT âkubovén trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedineniiarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi |