Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсени...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |
| Hauptverfasser: | Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Камонов, Б.М., Якубов, Э.Н. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7975 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
von: Kovaliuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kovaliuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
von: Клепикова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Клепикова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Электрооптические модуляторы и фильтры на основе кольцевых микрорезонаторов для волоконно-оптических систем связи
von: Берикашвили, В.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Берикашвили, В.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Моделирование динамического поведения инжекционного лазера при проектировании оптических систем связи
von: Бондаренко, Д.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Бондаренко, Д.В.
Veröffentlicht: (1999)
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Электрооптические модуляторы и фильтры на основе кольцевых микрорезонаторов для волоконно-оптических систем связи
von: Berikashvily, V. Sh., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Berikashvily, V. Sh., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Электрохимическое разделение галлия и сопутствующих примесей в расплавах его соединений низших степеней окисления
von: Козин, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Козин, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Терлецкая, Л.Л., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Терлецкая, Л.Л., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений А³В⁵
von: Каримов, А.В.
Veröffentlicht: (2007)
von: Каримов, А.В.
Veröffentlicht: (2007)
Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2006)
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2006)
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
von: Мазуренко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Мазуренко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Terletskaya, L. L., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Terletskaya, L. L., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Методы расчета оптических свойств материалов на основе многослойных углеродных нанотрубок
von: Каневский, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каневский, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Кинетика и механизм взаимодействия сплавов на основе алюминия, галлия и таллия с водой
von: Козин, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (1984)
von: Козин, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (1984)
Теоретическое исследование нелинейно-оптических свойств донорно-акцепторных композиций на основе п-нитроанилина
von: Сахно, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Сахно, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
von: Kovaliuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)