Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
Damaging processes of silicon and silicon detectors, radiation damaging peculiarity of silicon and silicon detectors by conditions
 of electromagnetic showers development are considered in the work. Experimental results of silicon radiation damaging
 efficiency by electromagnetic s...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79870 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами / Н.И. Маслов, И.М. Неклюдов // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 6. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862717679608004608 |
|---|---|
| author | Маслов, Н.И. Неклюдов, И.М. |
| author_facet | Маслов, Н.И. Неклюдов, И.М. |
| citation_txt | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами / Н.И. Маслов, И.М. Неклюдов // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 6. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Damaging processes of silicon and silicon detectors, radiation damaging peculiarity of silicon and silicon detectors by conditions
of electromagnetic showers development are considered in the work. Experimental results of silicon radiation damaging
efficiency by electromagnetic showers, which are developed from initial electrons with energy 220, 500 and 1000 MeV are presented.
Peculiarity of damages creation in detector was studied. It was shown, that radiation damaging efficiency in the bulk detector
material may be different then radiation damaging efficiency in initial silicon with identical characteristics.
В роботі розглянуті процеси пошкодження кремнію та кремнійових детекторів, особливості радіаційних пошкоджень кремнію та кремнійових детекторів в умовах розвитку електронно-фотонної зливи. Отримані експериментальні
результати по ефективності радіаційного пошкодження кремнію електронно-фотонною зливою від первинних електронів з енергією 220, 500 та 1000 МеВ. Досліджені особливості дефектотворення у детекторі. Розглянут ефект
радиаційного пошкодження, включаючий змінення (зменшення) ефективної концентрації легируючої домішки та
взміненні типу проводимості матеріалу детектора в разі опромінення. Показано, що ефективність утворення дефектів у
детекторі може відрізнятись від утворення дефектів у кремнію з ідентичними параметрами.
В работе рассмотрены процессы повреждения кремния и кремниевых детекторов, особенности радиационных повреждений кремния и кремниевых детекторов в условиях развития электронно-фотонного ливня. Получены экспериментальные результаты по эффективности радиационного повреждения кремния электронно-фотонным ливнем от первичных электронов с энергией 220, 500 и 1000 МэВ. Исследованы особенности дефектообразования в детекторе. Рассмотрен эффект радиационного повреждения кремниевых детекторов, заключающийся в изменении (уменьшении) эффективной концентрации легирующей примеси и в изменении типа проводимости материала детектора в результате облучения.
Показано, что эффективность образования дефектов решётки в объеме материала детектора может отличаться от образования дефектов решётки в кремнии с идентичными параметрами.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:11:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79870 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:11:20Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Маслов, Н.И. Неклюдов, И.М. 2015-04-05T17:34:31Z 2015-04-05T17:34:31Z 2002 Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами / Н.И. Маслов, И.М. Неклюдов // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 6. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79870 621.039.564 Damaging processes of silicon and silicon detectors, radiation damaging peculiarity of silicon and silicon detectors by conditions
 of electromagnetic showers development are considered in the work. Experimental results of silicon radiation damaging
 efficiency by electromagnetic showers, which are developed from initial electrons with energy 220, 500 and 1000 MeV are presented.
 Peculiarity of damages creation in detector was studied. It was shown, that radiation damaging efficiency in the bulk detector
 material may be different then radiation damaging efficiency in initial silicon with identical characteristics. В роботі розглянуті процеси пошкодження кремнію та кремнійових детекторів, особливості радіаційних пошкоджень кремнію та кремнійових детекторів в умовах розвитку електронно-фотонної зливи. Отримані експериментальні
 результати по ефективності радіаційного пошкодження кремнію електронно-фотонною зливою від первинних електронів з енергією 220, 500 та 1000 МеВ. Досліджені особливості дефектотворення у детекторі. Розглянут ефект
 радиаційного пошкодження, включаючий змінення (зменшення) ефективної концентрації легируючої домішки та
 взміненні типу проводимості матеріалу детектора в разі опромінення. Показано, що ефективність утворення дефектів у
 детекторі може відрізнятись від утворення дефектів у кремнію з ідентичними параметрами. В работе рассмотрены процессы повреждения кремния и кремниевых детекторов, особенности радиационных повреждений кремния и кремниевых детекторов в условиях развития электронно-фотонного ливня. Получены экспериментальные результаты по эффективности радиационного повреждения кремния электронно-фотонным ливнем от первичных электронов с энергией 220, 500 и 1000 МэВ. Исследованы особенности дефектообразования в детекторе. Рассмотрен эффект радиационного повреждения кремниевых детекторов, заключающийся в изменении (уменьшении) эффективной концентрации легирующей примеси и в изменении типа проводимости материала детектора в результате облучения.
 Показано, что эффективность образования дефектов решётки в объеме материала детектора может отличаться от образования дефектов решётки в кремнии с идентичными параметрами. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами Маслов, Н.И. Неклюдов, И.М. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами |
| title_full | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами |
| title_fullStr | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами |
| title_full_unstemmed | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами |
| title_short | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами |
| title_sort | особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79870 |
| work_keys_str_mv | AT maslovni osobennostiradiacionnogopovreždeniâkremnievyhdetektorovvysokoénergetičeskimiélektronami AT neklûdovim osobennostiradiacionnogopovreždeniâkremnievyhdetektorovvysokoénergetičeskimiélektronami |