An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
In the paper the processes of accumulation of radiation defects, formed by fragments of ²³⁸U nucleus fission, for forming of amorphous phases in the bulk of single-crystal silicon and the influence of the temperature annealing of defects on the properties of disordered structures are investigated....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79885 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, G.D. Pugachev, V.S. Dyomin, N.A. Dovbnya, J.E. Gordienko, B.G. Borodin, S.V. Babychenko, T.A. Semenets // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 3. — С. 179-181. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862573623531798528 |
|---|---|
| author | Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Pugachev, G.D. Dyomin, V.S. Dovbnya, N.A. Gordienko, J.E. Borodin, B.G. Babychenko, S.V. Semenets, T.A. |
| author_facet | Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Pugachev, G.D. Dyomin, V.S. Dovbnya, N.A. Gordienko, J.E. Borodin, B.G. Babychenko, S.V. Semenets, T.A. |
| citation_txt | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, G.D. Pugachev, V.S. Dyomin, N.A. Dovbnya, J.E. Gordienko, B.G. Borodin, S.V. Babychenko, T.A. Semenets // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 3. — С. 179-181. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | In the paper the processes of accumulation of radiation defects, formed by fragments of ²³⁸U nucleus fission, for forming of amorphous phases in the bulk of single-crystal silicon and the influence of the temperature annealing of defects on the properties of disordered structures are investigated.
Исследуются процессы накопления радиационных дефектов, образованных осколками деления ядер ²³⁸U, для формирования аморфных фаз в объеме монокристаллического кремния и влияния температуры отжига дефектов на свойства разупорядоченных структур.
Досліджуються процеси накопичення радіаційних дефектів, утворених осколками ділення ядер ²³⁸U, для формування аморфних фаз в об'ємі монокристалічного кремнію та впливу температури віджига дефектів на властивості розупорядкованих структур.
|
| first_indexed | 2025-11-26T07:52:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79885 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T07:52:10Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Pugachev, G.D. Dyomin, V.S. Dovbnya, N.A. Gordienko, J.E. Borodin, B.G. Babychenko, S.V. Semenets, T.A. 2015-04-06T15:54:26Z 2015-04-06T15:54:26Z 2006 An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, G.D. Pugachev, V.S. Dyomin, N.A. Dovbnya, J.E. Gordienko, B.G. Borodin, S.V. Babychenko, T.A. Semenets // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 3. — С. 179-181. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 61.82. Fk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79885 In the paper the processes of accumulation of radiation defects, formed by fragments of ²³⁸U nucleus fission, for forming of amorphous phases in the bulk of single-crystal silicon and the influence of the temperature annealing of defects on the properties of disordered structures are investigated. Исследуются процессы накопления радиационных дефектов, образованных осколками деления ядер ²³⁸U, для формирования аморфных фаз в объеме монокристаллического кремния и влияния температуры отжига дефектов на свойства разупорядоченных структур. Досліджуються процеси накопичення радіаційних дефектів, утворених осколками ділення ядер ²³⁸U, для формування аморфних фаз в об'ємі монокристалічного кремнію та впливу температури віджига дефектів на властивості розупорядкованих структур. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Применение ускорителей в радиационных технологиях An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties Воздействие γ-облучения и осколков ядер ²³⁸U на свойства монокристаллического кремния Вплив γ-опромінення та осколків ядер ²³⁸U на властивості монокристалічного кремнію Article published earlier |
| spellingShingle | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Pugachev, G.D. Dyomin, V.S. Dovbnya, N.A. Gordienko, J.E. Borodin, B.G. Babychenko, S.V. Semenets, T.A. Применение ускорителей в радиационных технологиях |
| title | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties |
| title_alt | Воздействие γ-облучения и осколков ядер ²³⁸U на свойства монокристаллического кремния Вплив γ-опромінення та осколків ядер ²³⁸U на властивості монокристалічного кремнію |
| title_full | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties |
| title_fullStr | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties |
| title_full_unstemmed | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties |
| title_short | An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties |
| title_sort | influence of gamma-irradiation and ²³⁸u fragments on single-crystal silicon properties |
| topic | Применение ускорителей в радиационных технологиях |
| topic_facet | Применение ускорителей в радиационных технологиях |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79885 |
| work_keys_str_mv | AT dovbnyaan aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT yefimovvp aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT pugachevgd aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT dyominvs aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT dovbnyana aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT gordienkoje aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT borodinbg aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT babychenkosv aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT semenetsta aninfluenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT dovbnyaan vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT yefimovvp vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT pugachevgd vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT dyominvs vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT dovbnyana vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT gordienkoje vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT borodinbg vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT babychenkosv vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT semenetsta vozdeistvieγoblučeniâioskolkovâder238unasvoistvamonokristalličeskogokremniâ AT dovbnyaan vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT yefimovvp vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT pugachevgd vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT dyominvs vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT dovbnyana vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT gordienkoje vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT borodinbg vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT babychenkosv vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT semenetsta vplivγopromínennâtaoskolkívâder238unavlastivostímonokristalíčnogokremníû AT dovbnyaan influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT yefimovvp influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT pugachevgd influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT dyominvs influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT dovbnyana influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT gordienkoje influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT borodinbg influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT babychenkosv influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties AT semenetsta influenceofgammairradiationand238ufragmentsonsinglecrystalsiliconproperties |