Механические свойства высокочистого гафния

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2014
• Main Authors: Ожигов, Л.С., Вьюгов, П.Н., Савченко, В.И., Кожевников, О.Е., Руденко, А.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2014
• Subjects: Чистые материалы и вакуумные технологии
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79910
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Механические свойства высокочистого гафния / Л.С. Ожигов, П.Н. Вьюгов, В.И. Савченко, О.Е. Кожевников, А.Г. Руденко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 60-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Представлены результаты исследования температурной зависимости механических свойств высокочистого гафния, полученного зонной плавкой, в температурном интервале 20…800 °С. Обнаружены значительные отличия в характеристиках прочности и пластичности, а также в особенностях температурной зависимости этих характеристик в сравнении с известными аналогами для технического гафния. Проведено обсуждение полученных результатов. Представлено результати дослідження температурної залежності механічних властивостей високочистого гафнію, отриманого зонною плавкою, в температурному інтервалі 20...800 °С. Виявлено значні відмінності в характеристиках міцності і пластичності, а також в особливостях температурної залежності цих характеристик у порівнянні з відомими аналогами для технічного гафнію. Проведено обговорення отриманих результатів. Here are presented the results of investigations of temperature dependence of mechanical properties of a highpurity hafnium, produced by zone melting, in temperature range of 20…800 °C. The significant differences in strength and plasticity characteristics, and also in peculiarities of temperature dependence of those characteristics in comparison with known analogues for technical hafnium are revealed. Discussion of obtained results is presented.