Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge
Results of experiments on obtaining nanocrystalline silicon films with the method of stimulated plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) into low frequency induction RF discharge (880 kHz) allowed in silicon tetrachloride diluted with hydrogen are presented. High rate value, as 2.41 nm/s, o...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79911 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge / A.M. Deryzemlia, P.G. Kryshtal, D.G. Malykhin, V.I. Radchenko, B.M. Shirokov // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 147-150. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79911 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Deryzemlia, A.M. Kryshtal, P.G. Malykhin, D.G. Radchenko, V.I. Shirokov, B.M. 2015-04-08T19:20:44Z 2015-04-08T19:20:44Z 2014 Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge / A.M. Deryzemlia, P.G. Kryshtal, D.G. Malykhin, V.I. Radchenko, B.M. Shirokov // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 147-150. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79911 621.793 Results of experiments on obtaining nanocrystalline silicon films with the method of stimulated plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) into low frequency induction RF discharge (880 kHz) allowed in silicon tetrachloride diluted with hydrogen are presented. High rate value, as 2.41 nm/s, of silicon film deposition was achieved. X-ray diffraction phase-shift analysis was pursued, the value of unit spacing of crystalline lattice was determined and nanocrystalline silicon film structure was studied. Представлены результаты исследований по получению пленок нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмохимического осаждения (СПХО) в низкочастотном индукционном ВЧ-разряде (880 кГц), возбуждаемом в тетрахлориде кремния (SiCl4), разбавленным водородом. Получена высокая скорость осаждения пленки кремния – 2,41 нм/с. Проведен рентгеноструктурный фазовый анализ, определена величина периода кристаллической решетки, исследована структура нанокристаллической пленки кремния. Представлено результати досліджень по одержанню плівок нанокристалічного кремнію методом стимульованого плазмохімічного осадження (СПХО) в низькочастотному індукційному ВЧ-розряді (880 кГц), збудженим у тетрахлоріді кремнію (SіCl4), розведеним воднем. Одержано високу швидкість осадження плівки кремнію – 2,41 нм/с. Проведено рентгеноструктурний фазовий аналіз, визначено величину періоду кристалічної ґратки, досліджено структуру нанокристалічної плівки кремнію. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge Осаждение плёнок нанокристаллического кремния в низкочастотном индукционном ВЧ-разряде Осадження плівок нанокристалічного кремнію в низькочастотному індукційному ВЧ-розряді Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge |
| spellingShingle |
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge Deryzemlia, A.M. Kryshtal, P.G. Malykhin, D.G. Radchenko, V.I. Shirokov, B.M. Физика и технология конструкционных материалов |
| title_short |
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge |
| title_full |
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge |
| title_fullStr |
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge |
| title_full_unstemmed |
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge |
| title_sort |
deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction rf discharge |
| author |
Deryzemlia, A.M. Kryshtal, P.G. Malykhin, D.G. Radchenko, V.I. Shirokov, B.M. |
| author_facet |
Deryzemlia, A.M. Kryshtal, P.G. Malykhin, D.G. Radchenko, V.I. Shirokov, B.M. |
| topic |
Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet |
Физика и технология конструкционных материалов |
| publishDate |
2014 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Осаждение плёнок нанокристаллического кремния в низкочастотном индукционном ВЧ-разряде Осадження плівок нанокристалічного кремнію в низькочастотному індукційному ВЧ-розряді |
| description |
Results of experiments on obtaining nanocrystalline silicon films with the method of stimulated plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) into low frequency induction RF discharge (880 kHz) allowed in silicon tetrachloride diluted with hydrogen are presented. High rate value, as 2.41 nm/s, of silicon film deposition was achieved. X-ray diffraction phase-shift analysis was pursued, the value of unit spacing of crystalline lattice was determined and nanocrystalline silicon film structure was studied.
Представлены результаты исследований по получению пленок нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмохимического осаждения (СПХО) в низкочастотном индукционном ВЧ-разряде (880 кГц), возбуждаемом в тетрахлориде кремния (SiCl4), разбавленным водородом. Получена высокая скорость осаждения пленки кремния – 2,41 нм/с. Проведен рентгеноструктурный фазовый анализ, определена величина периода кристаллической решетки, исследована структура нанокристаллической пленки кремния.
Представлено результати досліджень по одержанню плівок нанокристалічного кремнію методом стимульованого плазмохімічного осадження (СПХО) в низькочастотному індукційному ВЧ-розряді (880 кГц), збудженим у тетрахлоріді кремнію (SіCl4), розведеним воднем. Одержано високу швидкість осадження плівки кремнію – 2,41 нм/с. Проведено рентгеноструктурний фазовий аналіз, визначено величину періоду кристалічної ґратки, досліджено структуру нанокристалічної плівки кремнію.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79911 |
| citation_txt |
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge / A.M. Deryzemlia, P.G. Kryshtal, D.G. Malykhin, V.I. Radchenko, B.M. Shirokov // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 147-150. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT deryzemliaam depositionofnanocrystallinesiliconfilmsintolowfrequencyinductionrfdischarge AT kryshtalpg depositionofnanocrystallinesiliconfilmsintolowfrequencyinductionrfdischarge AT malykhindg depositionofnanocrystallinesiliconfilmsintolowfrequencyinductionrfdischarge AT radchenkovi depositionofnanocrystallinesiliconfilmsintolowfrequencyinductionrfdischarge AT shirokovbm depositionofnanocrystallinesiliconfilmsintolowfrequencyinductionrfdischarge AT deryzemliaam osaždenieplenoknanokristalličeskogokremniâvnizkočastotnomindukcionnomvčrazrâde AT kryshtalpg osaždenieplenoknanokristalličeskogokremniâvnizkočastotnomindukcionnomvčrazrâde AT malykhindg osaždenieplenoknanokristalličeskogokremniâvnizkočastotnomindukcionnomvčrazrâde AT radchenkovi osaždenieplenoknanokristalličeskogokremniâvnizkočastotnomindukcionnomvčrazrâde AT shirokovbm osaždenieplenoknanokristalličeskogokremniâvnizkočastotnomindukcionnomvčrazrâde AT deryzemliaam osadžennâplívoknanokristalíčnogokremníûvnizʹkočastotnomuíndukcíinomuvčrozrâdí AT kryshtalpg osadžennâplívoknanokristalíčnogokremníûvnizʹkočastotnomuíndukcíinomuvčrozrâdí AT malykhindg osadžennâplívoknanokristalíčnogokremníûvnizʹkočastotnomuíndukcíinomuvčrozrâdí AT radchenkovi osadžennâplívoknanokristalíčnogokremníûvnizʹkočastotnomuíndukcíinomuvčrozrâdí AT shirokovbm osadžennâplívoknanokristalíčnogokremníûvnizʹkočastotnomuíndukcíinomuvčrozrâdí |
| first_indexed |
2025-12-07T15:56:51Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:56:51Z |
| _version_ |
1850865626718928896 |