Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок

Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия. Розроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів дл...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2014
Hauptverfasser: Глушко, П.И., Журавлёв, А.Ю., Капустин, В.Л., Левенец, В.В., Семенов, Н.А., Хованский, Н.А., Шеремет, В.И., Широков, Б.М., Шиян, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2014
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79936
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, В.Л. Капустин, В.В. Левенец, Н.А. Семенов, Н.А. Хованский, В.И. Шеремет, Б.М. Широков, А.В. Шиян // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 167-169. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862740897861468160
author Глушко, П.И.
Журавлёв, А.Ю.
Капустин, В.Л.
Левенец, В.В.
Семенов, Н.А.
Хованский, Н.А.
Шеремет, В.И.
Широков, Б.М.
Шиян, А.В.
author_facet Глушко, П.И.
Журавлёв, А.Ю.
Капустин, В.Л.
Левенец, В.В.
Семенов, Н.А.
Хованский, Н.А.
Шеремет, В.И.
Широков, Б.М.
Шиян, А.В.
citation_txt Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, В.Л. Капустин, В.В. Левенец, Н.А. Семенов, Н.А. Хованский, В.И. Шеремет, Б.М. Широков, А.В. Шиян // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 167-169. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия. Розроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів для нанесення плівок методом молекулярно- променевої епітаксії. З використанням сублімаційного джерела отримано епітаксійні кремній-германієві плівки з різним вмістом германію. The atom sublimation source for application the films by molecular beam epitaxy method is developed and made. The epitaxial silicon-germanium films with different germanium content were obtained with the help of sublimation source.
first_indexed 2025-12-07T20:16:59Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79936
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-12-07T20:16:59Z
publishDate 2014
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Глушко, П.И.
Журавлёв, А.Ю.
Капустин, В.Л.
Левенец, В.В.
Семенов, Н.А.
Хованский, Н.А.
Шеремет, В.И.
Широков, Б.М.
Шиян, А.В.
2015-04-09T08:15:21Z
2015-04-09T08:15:21Z
2014
Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, В.Л. Капустин, В.В. Левенец, Н.А. Семенов, Н.А. Хованский, В.И. Шеремет, Б.М. Широков, А.В. Шиян // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 167-169. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79936
669.094.54:661.87.621:661.668
Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия.
Розроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів для нанесення плівок методом молекулярно- променевої епітаксії. З використанням сублімаційного джерела отримано епітаксійні кремній-германієві плівки з різним вмістом германію.
The atom sublimation source for application the films by molecular beam epitaxy method is developed and made. The epitaxial silicon-germanium films with different germanium content were obtained with the help of sublimation source.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика и технология конструкционных материалов
Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
Сублімаційне джерело для нанесення епітаксійних Si-Ge-плівок
Sublimation source for application the epitaxial Si-Ge films
Article
published earlier
spellingShingle Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
Глушко, П.И.
Журавлёв, А.Ю.
Капустин, В.Л.
Левенец, В.В.
Семенов, Н.А.
Хованский, Н.А.
Шеремет, В.И.
Широков, Б.М.
Шиян, А.В.
Физика и технология конструкционных материалов
title Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
title_alt Сублімаційне джерело для нанесення епітаксійних Si-Ge-плівок
Sublimation source for application the epitaxial Si-Ge films
title_full Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
title_fullStr Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
title_full_unstemmed Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
title_short Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок
title_sort сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных si-ge-плёнок
topic Физика и технология конструкционных материалов
topic_facet Физика и технология конструкционных материалов
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79936
work_keys_str_mv AT gluškopi sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT žuravlevaû sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT kapustinvl sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT levenecvv sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT semenovna sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT hovanskiina sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT šeremetvi sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT širokovbm sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT šiânav sublimacionnyiistočnikdlânaneseniâépitaksialʹnyhsigeplenok
AT gluškopi sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT žuravlevaû sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT kapustinvl sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT levenecvv sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT semenovna sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT hovanskiina sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT šeremetvi sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT širokovbm sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT šiânav sublímacíinedžerelodlânanesennâepítaksíinihsigeplívok
AT gluškopi sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT žuravlevaû sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT kapustinvl sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT levenecvv sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT semenovna sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT hovanskiina sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT šeremetvi sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT širokovbm sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms
AT šiânav sublimationsourceforapplicationtheepitaxialsigefilms