Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок - Глушко, П.И.; Журавлёв, А.Ю.; Капустин, В.Л.; Левенец, В.В.; Семенов, Н.А.; Хованский, Н.А.; Шеремет, В.И.; Широков, Б.М.; Шиян, А.В. (Вопросы атомной науки и техники, 2014)
Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия. Розроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів для нанесення плівок методом молекулярно- променевої епітаксії. З використанням сублімаційного джерела отримано епітаксійні кремній-германієві плівки з різним вмістом германію. The atom sublimation source for application the films by molecular beam epitaxy method is developed and made. The epitaxial silicon-germanium films with different germanium content were obtained with the help of sublimation source.