Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS
Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS,
 сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α
 ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79968 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS / В.И. Павленко, С.Н. Слепцов, Л.А. Ферлий, С.О. Чалый // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 2. — С. 167-173. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862684393456271360 |
|---|---|
| author | Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. |
| author_facet | Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. |
| citation_txt | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS / В.И. Павленко, С.Н. Слепцов, Л.А. Ферлий, С.О. Чалый // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 2. — С. 167-173. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS,
сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α
ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
. Энергия падающих
ионов титана варьировалась от Е₁ = 0,5 кэВ до Е₄ = 2,0 кэВ, угол падения α изменялся в интервале 0…80º. На
основании проведенных исследований получены угловые зависимости профилей первичного распределения
имплантированных ионов в модельной наноструктурной пленке. Определены максимальные глубины залегания имплантированных ионов. Показано, что для различных углов падения при ионной обработке поверхности существуют оптимальные значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов
Ti⁺ в облучаемой пленке, что позволяет эффективно проводить процесс формирования поверхностных слоев
материала с наперед заданными свойствами.
Методами математичного моделювання, з використанням програмного комплексу SPURT.CRIS, згенеровано та досліджено профілі залягання імплантованих іонів залежно від кута падіння α іонів при опроміненні
поверхні модельної наноструктурної плівки Nb іонами Ti⁺. Енергія падаючих іонів титану варіювалася від
Е₁ = 0,5 кеВ до Е₄ = 2,0 кеВ, кут падіння α змінювався в інтервалі 0…80º. На підставі проведених досліджень
отримані кутові залежності профілів первинного розподілу імплантованих іонів у модельній наноструктурній плівці. Визначено максимальні глибини залягання імплантованих іонів. Показано, що для різних кутів
падіння при іонній обробці поверхні існують оптимальні значення кутів, при яких досягається максимальна
концентрація іонів Ti⁺ в плівці, що опромінюється, це дозволяє ефективно проводити процес формування
поверхневих шарів матеріалу з наперед заданими властивостями.
The SPURT.CRIS code has been used for computer simulation of the Ti ions implantation in the Nb nanostructured
film at low temperatures. The distributions of Ti⁺
implanted ions were generated and analyzed depending on
both the ion energy (Eion) and irradiation angle (α). The ion energy and irradiation angle were varied in the range
from 0.5 to 2.0 keV and from 0° to 80°, respectively. The maximal depths of the Ti⁺
implanted ions were evaluated
using the generated distributions. It was shown that the maximal depth of Ti implanted ions in the Nb film is realized
at the definite range of irradiation angles. This effect allows optimizing the process of film layers formation
with the predetermined properties.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:57:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79968 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:57:52Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. 2015-04-09T12:57:21Z 2015-04-09T12:57:21Z 2014 Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS / В.И. Павленко, С.Н. Слепцов, Л.А. Ферлий, С.О. Чалый // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 2. — С. 167-173. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79968 539.534.9:523.23 Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS,
 сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α
 ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
 . Энергия падающих
 ионов титана варьировалась от Е₁ = 0,5 кэВ до Е₄ = 2,0 кэВ, угол падения α изменялся в интервале 0…80º. На
 основании проведенных исследований получены угловые зависимости профилей первичного распределения
 имплантированных ионов в модельной наноструктурной пленке. Определены максимальные глубины залегания имплантированных ионов. Показано, что для различных углов падения при ионной обработке поверхности существуют оптимальные значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов
 Ti⁺ в облучаемой пленке, что позволяет эффективно проводить процесс формирования поверхностных слоев
 материала с наперед заданными свойствами. Методами математичного моделювання, з використанням програмного комплексу SPURT.CRIS, згенеровано та досліджено профілі залягання імплантованих іонів залежно від кута падіння α іонів при опроміненні
 поверхні модельної наноструктурної плівки Nb іонами Ti⁺. Енергія падаючих іонів титану варіювалася від
 Е₁ = 0,5 кеВ до Е₄ = 2,0 кеВ, кут падіння α змінювався в інтервалі 0…80º. На підставі проведених досліджень
 отримані кутові залежності профілів первинного розподілу імплантованих іонів у модельній наноструктурній плівці. Визначено максимальні глибини залягання імплантованих іонів. Показано, що для різних кутів
 падіння при іонній обробці поверхні існують оптимальні значення кутів, при яких досягається максимальна
 концентрація іонів Ti⁺ в плівці, що опромінюється, це дозволяє ефективно проводити процес формування
 поверхневих шарів матеріалу з наперед заданими властивостями. The SPURT.CRIS code has been used for computer simulation of the Ti ions implantation in the Nb nanostructured
 film at low temperatures. The distributions of Ti⁺
 implanted ions were generated and analyzed depending on
 both the ion energy (Eion) and irradiation angle (α). The ion energy and irradiation angle were varied in the range
 from 0.5 to 2.0 keV and from 0° to 80°, respectively. The maximal depths of the Ti⁺
 implanted ions were evaluated
 using the generated distributions. It was shown that the maximal depth of Ti implanted ions in the Nb film is realized
 at the definite range of irradiation angles. This effect allows optimizing the process of film layers formation
 with the predetermined properties. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS Дослідження поведінки профілей залягання імплантованих іонів Ti⁺ в наноструктурній плівці Nb залежно від кута падіння іонів при низькотемпературному опроміненні. Комп'ютерне моделювання за програмою SPURT.CRIS Distributions of Ti⁺ implanted ions in Nb nanostructured film depending on irradiation angle at low temperatures. computer simulation by SPURT.CRIS code Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_alt | Дослідження поведінки профілей залягання імплантованих іонів Ti⁺ в наноструктурній плівці Nb залежно від кута падіння іонів при низькотемпературному опроміненні. Комп'ютерне моделювання за програмою SPURT.CRIS Distributions of Ti⁺ implanted ions in Nb nanostructured film depending on irradiation angle at low temperatures. computer simulation by SPURT.CRIS code |
| title_full | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_fullStr | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_full_unstemmed | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_short | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_sort | исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов ti⁺ в наноструктурной пленке nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. компьютерное моделирование по программе spurt.cris |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79968 |
| work_keys_str_mv | AT pavlenkovi issledovaniepovedeniâprofileizaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnoiplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris AT slepcovsn issledovaniepovedeniâprofileizaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnoiplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris AT ferliila issledovaniepovedeniâprofileizaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnoiplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris AT čalyiso issledovaniepovedeniâprofileizaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnoiplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris AT pavlenkovi doslídžennâpovedínkiprofíleizalâgannâímplantovanihíonívtivnanostrukturníiplívcínbzaležnovídkutapadínnâíonívprinizʹkotemperaturnomuopromínenníkompûternemodelûvannâzaprogramoûspurtcris AT slepcovsn doslídžennâpovedínkiprofíleizalâgannâímplantovanihíonívtivnanostrukturníiplívcínbzaležnovídkutapadínnâíonívprinizʹkotemperaturnomuopromínenníkompûternemodelûvannâzaprogramoûspurtcris AT ferliila doslídžennâpovedínkiprofíleizalâgannâímplantovanihíonívtivnanostrukturníiplívcínbzaležnovídkutapadínnâíonívprinizʹkotemperaturnomuopromínenníkompûternemodelûvannâzaprogramoûspurtcris AT čalyiso doslídžennâpovedínkiprofíleizalâgannâímplantovanihíonívtivnanostrukturníiplívcínbzaležnovídkutapadínnâíonívprinizʹkotemperaturnomuopromínenníkompûternemodelûvannâzaprogramoûspurtcris AT pavlenkovi distributionsoftiimplantedionsinnbnanostructuredfilmdependingonirradiationangleatlowtemperaturescomputersimulationbyspurtcriscode AT slepcovsn distributionsoftiimplantedionsinnbnanostructuredfilmdependingonirradiationangleatlowtemperaturescomputersimulationbyspurtcriscode AT ferliila distributionsoftiimplantedionsinnbnanostructuredfilmdependingonirradiationangleatlowtemperaturescomputersimulationbyspurtcriscode AT čalyiso distributionsoftiimplantedionsinnbnanostructuredfilmdependingonirradiationangleatlowtemperaturescomputersimulationbyspurtcriscode |