The second beam extraction channel for the accelerator “EPOS”

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Dovbnya, A.N., Guk, I.S., Kononenko, S.G., Koval’ev, G.G., Mytsykov, A.O.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2014
• Schlagworte: Теория и техника ускорения частиц
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79980
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: The second beam extraction channel for the accelerator “EPOS” / A.N. Dovbnya, I.S. Guk, S.G. Kononenko, G.G. Koval’ev, A.O. Mytsykov // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 3. — С. 8-12. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

It is proposed to build a new beam extraction channel at the linear technological accelerator “EPOS”. A more effective exposure of materials to be processed can be reached by rotating the beam in a vertical plane through 90 deg. In the paper the schematic diagram of the channel is presented and the field value in the dipole magnet is estimated. Results of modeling the electron motion in the channel with taking into account real beam parameters are given. The density of electron stream onto the material being irradiated is calculated. Рассматривается возможность создания на линейном технологическом ускорителе “EPOS” нового канала вывода пучка с углом поворота 90 градусов. Приводится схема канала, оценивается величина поля в поворотном магните. Приводятся результаты моделирования движения электронов в канале с учётом реальных параметров пучка. Рассчитана плотность потока электронов на облучаемых материалах. Розглядається можливість створення на лінійному технологічному прискорювачі “EPOS” нового каналу виводу пучка з кутом повороту 90 градусів. Представлена схема каналу, проведена оцінка величини поля в поворотному магніті. Проведено моделювання руху електронів у каналі з урахуванням реальних параметрів пучка. Розраховано густину потоку електронів на матеріалах, що опромінюються.