Електронний та магнітний стани атомів кисню в монокристалах кремнію
Розраховано електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв кремнiю, що мiстить домiшковий атом кисню в мiжвузловому положеннi та станi замiщення. Розрахунок проведено методом LMTO. У повiдомленнi обговорюються змiни густини електронних станiв монокристалiв кремнiю, а також можливiсть формування магнiтних...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/8002 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Електронний та магнітний стани атомів кисню в монокристалах кремнію / I.В. Плющай, В.А. Макара // Доп. НАН України. — 2009. — № 3. — С. 110-114. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Розраховано електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв кремнiю, що мiстить домiшковий атом кисню в мiжвузловому положеннi та станi замiщення. Розрахунок проведено методом LMTO. У повiдомленнi обговорюються змiни густини електронних станiв монокристалiв кремнiю, а також можливiсть формування магнiтних моментiв на домiшкових атомах. Показано, що частково заповнена домiшкова пiдзона атомiв кисню в мiжвузловому положеннi може призводити до формування магнiтного моменту.
The electronic spectrum of a 64-Si-atom supercell with oxygen impurity in the interstitial and substitution positions is calculated by the linear muffin-tin orbital (LMTO) method. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of magnetic moments on impurity atoms, are discussed. We have demonstrated that the partially filled defect band of O atoms in the interstitial position can lead to the formation of a magnetic moment.
|
|---|---|
| ISSN: | 1025-6415 |