Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель
Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, и...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80145 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862668336925507584 |
|---|---|
| author | Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. |
| author_facet | Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. |
| citation_txt | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация.
Методами каналювання й математичного моделювання досліджені профілі розподілу пошкоджень, створюваних в Nі при опроміненні іонами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ з енергією 0.2...1 МэВ в інтервалі доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Визначено місце
розташування імплантованих атомів Хе в ґратах монокристалла Ni, їхня взаємодія з радіаційними дефектами, кінетика утворення примесных комплексів і їхня конфігурація.
By the methods of channeling and mathematical simulation the distribution profiles of damage produced in Ni under irradiation by ions of He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ with energy 0.2…1 MeV in the range of doses 1·10¹⁵…1·10¹⁷ cm⁻². are investigated. Location of implanted atoms of Xe in Ni monocrystal lattice is determined, their interaction with radiation defects, kinetics of
impurity complexes formation and their configuration are defined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:24:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80145 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:24:28Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. 2015-04-12T13:34:24Z 2015-04-12T13:34:24Z 2006 Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 УДК 669.017:539.16 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80145 Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация. Методами каналювання й математичного моделювання досліджені профілі розподілу пошкоджень, створюваних в Nі при опроміненні іонами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ з енергією 0.2...1 МэВ в інтервалі доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Визначено місце
 розташування імплантованих атомів Хе в ґратах монокристалла Ni, їхня взаємодія з радіаційними дефектами, кінетика утворення примесных комплексів і їхня конфігурація. By the methods of channeling and mathematical simulation the distribution profiles of damage produced in Ni under irradiation by ions of He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ with energy 0.2…1 MeV in the range of doses 1·10¹⁵…1·10¹⁷ cm⁻². are investigated. Location of implanted atoms of Xe in Ni monocrystal lattice is determined, their interaction with radiation defects, kinetics of
 impurity complexes formation and their configuration are defined. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель Профілі дефектів, розподіл і місце розташування гелію, аргону, криптону й ксенону, ионно-имплантированных у нікель Radiation damage, range distribution and site location measurements of helium, argon, krypton and xenon in nickel after implantation Article published earlier |
| spellingShingle | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_alt | Профілі дефектів, розподіл і місце розташування гелію, аргону, криптону й ксенону, ионно-имплантированных у нікель Radiation damage, range distribution and site location measurements of helium, argon, krypton and xenon in nickel after implantation |
| title_full | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_fullStr | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_full_unstemmed | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_short | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_sort | профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80145 |
| work_keys_str_mv | AT tolstoluckaâgd profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ AT kopanecie profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ AT neklûdovim profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ AT marčenkoig profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ AT tolstoluckaâgd profílídefektívrozpodílímísceroztašuvannâgelíûargonukriptonuiksenonuionnoimplantirovannyhuníkelʹ AT kopanecie profílídefektívrozpodílímísceroztašuvannâgelíûargonukriptonuiksenonuionnoimplantirovannyhuníkelʹ AT neklûdovim profílídefektívrozpodílímísceroztašuvannâgelíûargonukriptonuiksenonuionnoimplantirovannyhuníkelʹ AT marčenkoig profílídefektívrozpodílímísceroztašuvannâgelíûargonukriptonuiksenonuionnoimplantirovannyhuníkelʹ AT tolstoluckaâgd radiationdamagerangedistributionandsitelocationmeasurementsofheliumargonkryptonandxenoninnickelafterimplantation AT kopanecie radiationdamagerangedistributionandsitelocationmeasurementsofheliumargonkryptonandxenoninnickelafterimplantation AT neklûdovim radiationdamagerangedistributionandsitelocationmeasurementsofheliumargonkryptonandxenoninnickelafterimplantation AT marčenkoig radiationdamagerangedistributionandsitelocationmeasurementsofheliumargonkryptonandxenoninnickelafterimplantation |