Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель - Толстолуцкая, Г.Д.; Копанец, И.Е.; Неклюдов, И.М.; Марченко, И.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2006)
Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация. Методами каналювання й математичного моделювання досліджені профілі розподілу пошкоджень, створюваних в Nі при опроміненні іонами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ з енергією 0.2...1 МэВ в інтервалі доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Визначено місце розташування імплантованих атомів Хе в ґратах монокристалла Ni, їхня взаємодія з радіаційними дефектами, кінетика утворення примесных комплексів і їхня конфігурація. By the methods of channeling and mathematical simulation the distribution profiles of damage produced in Ni under irradiation by ions of He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ with energy 0.2…1 MeV in the range of doses 1·10¹⁵…1·10¹⁷ cm⁻². are investigated. Location of implanted atoms of Xe in Ni monocrystal lattice is determined, their interaction with radiation defects, kinetics of impurity complexes formation and their configuration are defined.