Зображення обкладинки

Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель

Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, и...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вопросы атомной науки и техники
Дата:	2006
Автори:	Толстолуцкая, Г.Д., Копанец, И.Е., Неклюдов, И.М., Марченко, И.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
Теми:	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80145
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Особенности распределения ионно-имплантированного дейтерия в нержавеющей стали Х18Н10Т
за авторством: Толстолуцкая, Г.Д., та інші
Опубліковано: (2001)

Влияние радиационных повреждений на термодесорбцию гелия из ферритно-мартенситной стали ЭП-450
за авторством: Ружицкий, В.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Электронографическое исследование среднеквадратичных смещений атомов в свободных кластерах криптона
за авторством: Еременко, В.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Захват дейтерия на ловушках, созданных в стали Х18Н10Т при облучении высокоэнергетическими ионами аргона
за авторством: Копанец, И.Е., та інші
Опубліковано: (2008)

Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
за авторством: Белов, А.Г., та інші
Опубліковано: (2003)

Формирование композиционных покрытий никель – бор – азот
за авторством: Кузей, А.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Кинетика перераспределения ионно-имплантированного дейтерия в Zr В процессе постимплантационных отжигов
за авторством: Ружицкий, В.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Теплоемкость ксенона, адсорбированного в канавках наносвязок
за авторством: Чишко, К.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Полиядерные аминоэтилатные комплексы никель (II)—кобальт (III) и никель (II)—хром (III)
за авторством: Рейтер, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние нуклеотидных замен на профили денатурации ДНК
за авторством: Разлуцкий, И.В., та інші
Опубліковано: (1988)

Люминесценция экситонных возбуждений в криокристаллах криптона с примесями молекулярного дейтерия
за авторством: Белов, А.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние ионноимплантированного гелия на удержание дейтерия в стали Х18Н10Т
за авторством: Толстолуцкая, Г.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Микроструктура деформированной волочением при Т=77 К стали Х16Н15М3Б при имплантации ионов аргона
за авторством: Воеводин, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние ксенона на структурно-функциональные изменения в изолированной поджелудочной железе
за авторством: Гоженко, А.И., та інші
Опубліковано: (2017)

Стимуляция десорбции аргона примесью кислорода
за авторством: Белов, А.Г., та інші
Опубліковано: (2000)

Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu
за авторством: Павленко, В.И., та інші
Опубліковано: (2017)

Пассивация и восстановление никель-цеолитных катализаторов
за авторством: Галинский, А.А., та інші
Опубліковано: (1984)

Влияние высотного градиента скоростей на профили фраунгоферовых линий
за авторством: Чорногор, С.Н.
Опубліковано: (2001)

Эксимерные соединения ксенона с кислородом в кристаллических матрицах инертных газов
за авторством: Белов, А.Г., та інші
Опубліковано: (2001)

Спектр поляризационного тормозного излучения кластеров ксенона: обнаружение вклада коллективных взаимодействий
за авторством: Гнатченко, Е.В., та інші
Опубліковано: (2010)

О димере гелия
за авторством: Павлов, А.М.
Опубліковано: (2009)

Электролитические сплавы олово — никель как анодные материалы литий-ионных аккумуляторов
за авторством: Глоба, Н.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Термолюминесценция твердого аргона:кинетический анализ кривой термовысвечивания
за авторством: Огурцов, А.Н., та інші
Опубліковано: (1996)

Исследование поверхности кластеров ксенона по спектрам поляризационного тормозного излучения: псевдокристаллическое состояние
за авторством: Гнатченко, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Электронографическое исследование структурных превращений в свободных кластерах аргона
за авторством: Данильченко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Травление поверхности металлов в плазме аргона
за авторством: Капустин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2001)

Динамические характеристики адсорбентов гелия. Влияние палладирования
за авторством: Щербаченко, Р.И., та інші
Опубліковано: (2000)

Разработка процесса электрохимического осаждения никель-алмазного покрытия с модифицированными фосфором ДНА
за авторством: Долматов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2019)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Спектральное исследование двухленточной солнечной вспышки. I. Профили и асимметрия линий
за авторством: Кондрашова, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние возраста листьев сахарной свеклы на ПЦР-профили ферментных генов
за авторством: Виниченко, Н.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Континуальное излучение эксимерных комплексов в кристаллах аргона и неона
за авторством: Белов, А.Г., та інші
Опубліковано: (1998)

Динамические характеристики адсорбентов гелия. Влияние условий теплоотвода
за авторством: Щербаченко, Р.И., та інші
Опубліковано: (2008)

Димеры фенола в матрицах аргона и неона
за авторством: Плохотниченко, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)

Некоторые особенности ионно-плазменной металлизации керамических порошков
за авторством: Смирнов, И.В.
Опубліковано: (2011)