Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель
Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, и...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | Толстолуцкая, Г.Д., Копанец, И.Е., Неклюдов, И.М., Марченко, И.Г. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80145 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Температурные удержания криптона в стеклокерамике
von: Неклюдов, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Неклюдов, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ускорительный комплекс для изучения поведения гелия и водорода в условиях генерации радиационных дефектов
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности распределения ионно-имплантированного дейтерия в нержавеющей стали Х18Н10Т
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние радиационных повреждений на термодесорбцию гелия из ферритно-мартенситной стали ЭП-450
von: Ружицкий, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Ружицкий, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Захват дейтерия на ловушках, созданных в стали Х18Н10Т при облучении высокоэнергетическими ионами аргона
von: Копанец, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Копанец, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Электронографическое исследование среднеквадратичных смещений атомов в свободных кластерах криптона
von: Еременко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Еременко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Экситонно-стимулированная диссоциация D₂ в матрице ксенона
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Кинетика перераспределения ионно-имплантированного дейтерия в Zr В процессе постимплантационных отжигов
von: Ружицкий, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Ружицкий, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Теплоемкость ксенона, адсорбированного в канавках наносвязок
von: Чишко, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Чишко, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Формирование композиционных покрытий никель – бор – азот
von: Кузей, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Кузей, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Долговременные корреляции в диффузионном движении молекул воды и атомов благородных газов в растворах гелия и аргона
von: Voloshin, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Voloshin, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Полиядерные аминоэтилатные комплексы никель (II)—кобальт (III) и никель (II)—хром (III)
von: Рейтер, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Рейтер, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние ионноимплантированного гелия на удержание дейтерия в стали Х18Н10Т
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Люминесценция экситонных возбуждений в криокристаллах криптона с примесями молекулярного дейтерия
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu
von: Павленко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Павленко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Влияние нуклеотидных замен на профили денатурации ДНК
von: Разлуцкий, И.В., et al.
Veröffentlicht: (1988)
von: Разлуцкий, И.В., et al.
Veröffentlicht: (1988)
Микроструктура деформированной волочением при Т=77 К стали Х16Н15М3Б при имплантации ионов аргона
von: Воеводин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Воеводин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние экологических условий на число и местоположение выходных отверстий норы у прометеевой полевки
von: Ляйстер, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (1983)
von: Ляйстер, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (1983)
Прямое наблюдение свободных экситонов в спектрах люминесценции кластеров ксенона
von: Вакула, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Вакула, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние ксенона на структурно-функциональные изменения в изолированной поджелудочной железе
von: Гоженко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Гоженко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Стимуляция десорбции аргона примесью кислорода
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Пассивация и восстановление никель-цеолитных катализаторов
von: Галинский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1984)
von: Галинский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1984)
Диаграммы равновесий комплексообразования в системах никель—оксиэтилидендифосфоновая кислота
von: Козачкова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Козачкова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Синтез алмазных поликристаллов карбонадо в системе никель–кобальт–углерод
von: Ножкина, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ножкина, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Спектр поляризационного тормозного излучения кластеров ксенона: обнаружение вклада коллективных взаимодействий
von: Гнатченко, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Гнатченко, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Эксимерные соединения ксенона с кислородом в кристаллических матрицах инертных газов
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние высотного градиента скоростей на профили фраунгоферовых линий
von: Чорногор, С.Н.
Veröffentlicht: (2001)
von: Чорногор, С.Н.
Veröffentlicht: (2001)
О димере гелия
von: Павлов, А.М.
Veröffentlicht: (2009)
von: Павлов, А.М.
Veröffentlicht: (2009)
Термолюминесценция твердого аргона:кинетический анализ кривой термовысвечивания
von: Огурцов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Огурцов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Диффузионная сварка в вакууме фольги из порошкового никель-хромового сплава
von: Гусарова, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Гусарова, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Исследование поверхности кластеров ксенона по спектрам поляризационного тормозного излучения: псевдокристаллическое состояние
von: Гнатченко, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Гнатченко, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Электролитические сплавы олово — никель как анодные материалы литий-ионных аккумуляторов
von: Глоба, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Глоба, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Электронографическое исследование структурных превращений в свободных кластерах аргона
von: Данильченко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Данильченко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Температурные удержания криптона в стеклокерамике
von: Неклюдов, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Ускорительный комплекс для изучения поведения гелия и водорода в условиях генерации радиационных дефектов
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)