Dolgolenko, A. (2006). The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation. Вопросы атомной науки и техники.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Dolgolenko, A.P. "The Annealing of High - Level Doped Materials on the Base of the N – and P – Si₀.₇ Ge₀.₃ Solid Solution Under Reactor Irradiation." Вопросы атомной науки и техники 2006.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Dolgolenko, A.P. "The Annealing of High - Level Doped Materials on the Base of the N – and P – Si₀.₇ Ge₀.₃ Solid Solution Under Reactor Irradiation." Вопросы атомной науки и техники, 2006.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.