The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2006
• Main Author: Dolgolenko, A.P.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
• Subjects: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80147
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation / A.P. Dolgolenko
 // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 65-70. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

N- and p-type samples of Si-Ge solid solution with the resistivity of (4...7) 10⁻³⋅ Ohm·cm, unannealed after high-temperature
 baking have been investigated. Samples were irradiated up to the fluence ~10²⁰ n⁰·cm⁻² in reactor active zone at the temperature
 ~500 ºC in mixed neutron...