Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия
С помощью электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифрактометрии исследованы начальные стадии ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ. Показано отсутствие перемешивания в фазово...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80237 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия / А.В. Пеньков, Е.Н. Зубарев, О.В. Польцева, А.Г. Пономаренко, В.В. Кондратенко, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 157-163. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80237 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Пеньков, А.В. Зубарев, Е.Н. Польцева, О.В. Пономаренко, А.Г. Кондратенко, В.В. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П. 2015-04-13T18:03:11Z 2015-04-13T18:03:11Z 2006 Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия / А.В. Пеньков, Е.Н. Зубарев, О.В. Польцева, А.Г. Пономаренко, В.В. Кондратенко, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 157-163. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1562-6016 УДК 621.785.3:539.216.2 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80237 С помощью электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифрактометрии исследованы начальные стадии ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ. Показано отсутствие перемешивания в фазово-равновесной системе MoSi₂/Si. Начало процесса ионно-лучевого перемешивания в композициях Mo/Si обусловлено наличием в исходном состоянии перемешанных зон между молибденом и кремнием. Введение углеродных барьерных слоев между молибденом и кремнием препятствует формированию перемешанных зон и повышает радиационную стойкость. Установлена зависимость изменения толщин слоев многослойного покрытия от дозы облучения. За допомогою електронної мікроскопії поперечних зрізів і малокутової рентгенівської дифрактометрії досліджені початкові стадії іонно-променевого перемішування в багатошарових плівкових композиціях Mo/Si і Mo/C/Si/C при опромінюванні іонами гелію з енергією 40 кэВ. Показана відсутність перемішування у фазовій-рівноважній системі MoSi₂/Si. Початок процесу іонно-променевого перемішування в композиціях Mo/Si обумовлений наявністю в початковому стані перемішаних зон між молібденом і кремнієм. Введення вуглецевих бар'єрних шарів між молібденом і кремнієм перешкоджає формуванню перемішаних зон і підвищує радіаційну стійкість. Встановлена залежність зміни товщини шарів багатошарового покриття від дози опромінювання. The initial stages of ion-beam mixing are explored in Mo/Si and Mo/C/Si/C multilayers at an irradiation by 40 кэВ helium ions using electron microscopy of cross-sections and low angle x-ray diffractometry. Absence of interfusion is shown in the immiscible system MoSi₂/Si. Beginning of process of ion-beam mixing in Mo/Si composition is caused by presence in the initial state of the mixed zones between molybdenum and silicon. Introduction of carbon barrier layers between molybdenum and silicon blocks forming of the mixed zones and increase radiation stability. Dependence of layer thicknesses versus irradiation dose was studied. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия Міжшарове перемішування в багатошарових періодичних композиціях Mo/Si, MoSi₂/Si і Mo/C/Si/C при опромінюванні іонами гелію Interlayer mixing in Mo/Si, MoSi₂/Si and Mo/C/Si/C multilayers during irradiation by helium ions Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия |
| spellingShingle |
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия Пеньков, А.В. Зубарев, Е.Н. Польцева, О.В. Пономаренко, А.Г. Кондратенко, В.В. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title_short |
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия |
| title_full |
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия |
| title_fullStr |
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия |
| title_full_unstemmed |
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия |
| title_sort |
межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях mo/si, mosi₂/si и mo/c/si/c при облучении ионами гелия |
| author |
Пеньков, А.В. Зубарев, Е.Н. Польцева, О.В. Пономаренко, А.Г. Кондратенко, В.В. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П. |
| author_facet |
Пеньков, А.В. Зубарев, Е.Н. Польцева, О.В. Пономаренко, А.Г. Кондратенко, В.В. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П. |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Міжшарове перемішування в багатошарових періодичних композиціях Mo/Si, MoSi₂/Si і Mo/C/Si/C при опромінюванні іонами гелію Interlayer mixing in Mo/Si, MoSi₂/Si and Mo/C/Si/C multilayers during irradiation by helium ions |
| description |
С помощью электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифрактометрии исследованы начальные стадии ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ. Показано отсутствие перемешивания в фазово-равновесной системе MoSi₂/Si. Начало процесса ионно-лучевого перемешивания в композициях Mo/Si обусловлено наличием в исходном состоянии перемешанных зон между молибденом и кремнием. Введение углеродных барьерных слоев между молибденом и кремнием препятствует формированию перемешанных зон и повышает радиационную стойкость. Установлена зависимость изменения толщин слоев многослойного покрытия от дозы облучения.
За допомогою електронної мікроскопії поперечних зрізів і малокутової рентгенівської дифрактометрії досліджені
початкові стадії іонно-променевого перемішування в багатошарових плівкових композиціях Mo/Si і Mo/C/Si/C при
опромінюванні іонами гелію з енергією 40 кэВ. Показана відсутність перемішування у фазовій-рівноважній системі
MoSi₂/Si. Початок процесу іонно-променевого перемішування в композиціях Mo/Si обумовлений наявністю в
початковому стані перемішаних зон між молібденом і кремнієм. Введення вуглецевих бар'єрних шарів між молібденом і
кремнієм перешкоджає формуванню перемішаних зон і підвищує радіаційну стійкість. Встановлена залежність зміни
товщини шарів багатошарового покриття від дози опромінювання.
The initial stages of ion-beam mixing are explored in Mo/Si and Mo/C/Si/C multilayers at an irradiation by 40 кэВ helium
ions using electron microscopy of cross-sections and low angle x-ray diffractometry. Absence of interfusion is shown in the immiscible
system MoSi₂/Si. Beginning of process of ion-beam mixing in Mo/Si composition is caused by presence in the initial
state of the mixed zones between molybdenum and silicon. Introduction of carbon barrier layers between molybdenum and silicon
blocks forming of the mixed zones and increase radiation stability. Dependence of layer thicknesses versus irradiation dose
was studied.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80237 |
| citation_txt |
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия / А.В. Пеньков, Е.Н. Зубарев, О.В. Польцева, А.Г. Пономаренко, В.В. Кондратенко, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 157-163. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT penʹkovav mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT zubareven mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT polʹcevaov mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT ponomarenkoag mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT kondratenkovv mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT bobkovvv mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT peregonti mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT tiŝenkolp mežsloevoeperemešivanievmnogosloinyhperiodičeskihkompoziciâhmosimosi2siimocsicprioblučeniiionamigeliâ AT penʹkovav mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT zubareven mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT polʹcevaov mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT ponomarenkoag mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT kondratenkovv mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT bobkovvv mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT peregonti mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT tiŝenkolp mížšaroveperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihkompozicíâhmosimosi2siímocsicpriopromínûvannííonamigelíû AT penʹkovav interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions AT zubareven interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions AT polʹcevaov interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions AT ponomarenkoag interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions AT kondratenkovv interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions AT bobkovvv interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions AT peregonti interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions AT tiŝenkolp interlayermixinginmosimosi2siandmocsicmultilayersduringirradiationbyheliumions |
| first_indexed |
2025-12-07T18:36:26Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:36:26Z |
| _version_ |
1850875667416088576 |