Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии
Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов и описано поведение дырок в высокоомном кремнии, выращенном методами Чохральского и бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора и последующего изохронного и изотермического отжигов. В рамках уточненной модели кл...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80351 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 4. — С. 38-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80351 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Долголенко, А.П. 2015-04-16T15:33:31Z 2015-04-16T15:33:31Z 2014 Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 4. — С. 38-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80351 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов и описано поведение дырок в высокоомном кремнии, выращенном методами Чохральского и бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора и последующего изохронного и изотермического отжигов. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов и дырок в образцах кремния. Показано, что изменения конфигурации дивакансий в кластерах дефектов и в проводящей матрице приводят к росту высоты дрейфовых барьеров и концентрации длинноволновых фононов в проводящей матрице образцов кремния. Определена температурная зависимость высоты дрейфовых барьеров в процессе выдержки при комнатной температуре n-Si. Розрахована температурна залежність рухливості електронів і описано поведінку дірок у высокоомному кремнію, вирощеному методами Чохральського і безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора і подальшого ізохронного та ізотермічного відпалів. У рамках уточненої моделі кластерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів і дірок у зразках кремнію. Показано, що зміни конфігурації дивакансій в кластерах дефектів і в провідній матриці призводять до зростання висоти дрейфових бар'єрів і концентрації довгохвильових фононів у провідній матриці зразків кремнію. Визначена температурна залежність висоти дрейфових бар'єрів у процесі витримки при кімнатній температурі n-Si. Calculated temperature dependence of the electron mobility and describes the behavior of holes in highresistance silicon Czochralski grown and float zone melting, after irradiation by fast neutrons reactor and a subsequent isochronous and isothermal annealing. In the framework of the elaborated model of defect clusters was calculated temperature dependence of the concentration of electrons and holes in silicon samples. It is shown that the configuration change divacancies in clusters of defects and in conducting matrix leads to increase in the height of the drift barriers and concentration of long-wave phonons in conducting matrix samples of silicon. It was defined temperature dependence of the height of the drift barriers in the process of ageing at room temperature n-Si. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии Рухливість носіїв у разі дифузного руху при конфігураційній перебудові дивакансій в кремнії Mobility of carriers in the case of diffuse motion in the configuration space of restructuring divacancies in silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии |
| spellingShingle |
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии Долголенко, А.П. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии |
| title_full |
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии |
| title_fullStr |
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии |
| title_full_unstemmed |
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии |
| title_sort |
подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии |
| author |
Долголенко, А.П. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Рухливість носіїв у разі дифузного руху при конфігураційній перебудові дивакансій в кремнії Mobility of carriers in the case of diffuse motion in the configuration space of restructuring divacancies in silicon |
| description |
Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов и описано поведение дырок в высокоомном кремнии, выращенном методами Чохральского и бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора и последующего изохронного и изотермического отжигов. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов и дырок в образцах кремния. Показано, что изменения конфигурации дивакансий в кластерах дефектов и в проводящей матрице приводят к росту высоты дрейфовых барьеров и концентрации длинноволновых фононов в проводящей матрице образцов кремния. Определена температурная зависимость высоты дрейфовых барьеров в процессе выдержки при комнатной температуре n-Si.
Розрахована температурна залежність рухливості електронів і описано поведінку дірок у высокоомному кремнію, вирощеному методами Чохральського і безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора і подальшого ізохронного та ізотермічного відпалів. У рамках уточненої моделі кластерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів і дірок у зразках кремнію. Показано, що зміни конфігурації дивакансій в кластерах дефектів і в провідній матриці призводять до зростання висоти дрейфових бар'єрів і концентрації довгохвильових фононів у провідній матриці зразків кремнію. Визначена температурна залежність висоти дрейфових бар'єрів у процесі витримки при кімнатній температурі n-Si.
Calculated temperature dependence of the electron mobility and describes the behavior of holes in highresistance
silicon Czochralski grown and float zone melting, after irradiation by fast neutrons reactor and a subsequent
isochronous and isothermal annealing. In the framework of the elaborated model of defect clusters was calculated
temperature dependence of the concentration of electrons and holes in silicon samples. It is shown that the configuration
change divacancies in clusters of defects and in conducting matrix leads to increase in the height of the
drift barriers and concentration of long-wave phonons in conducting matrix samples of silicon. It was defined temperature
dependence of the height of the drift barriers in the process of ageing at room temperature n-Si.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80351 |
| citation_txt |
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 4. — С. 38-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap podvižnostʹnositeleivslučaediffuznogodviženiâprikonfiguracionnoiperestroikedivakansiivkremnii AT dolgolenkoap ruhlivístʹnosíívurazídifuznogoruhuprikonfíguracíiníiperebudovídivakansíivkremníí AT dolgolenkoap mobilityofcarriersinthecaseofdiffusemotionintheconfigurationspaceofrestructuringdivacanciesinsilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T17:52:49Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:52:49Z |
| _version_ |
1850872922709688320 |