On the incoherent radiation of relativistic electrons and positrons in crystal

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Shul’ga, N.F., Syshchenko, V.V.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
• Schlagworte: Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80550
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: On the incoherent radiation of relativistic electrons and positrons in crystal / N.F. Shul’ga , V.V. Syshchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 112-116. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

The incoherent bremsstrahlung of high energy electrons in crystal is caused by thermal spread of atoms from their equilibrium positions in the lattice. In the present article the simulation procedure for the intensity of incoherent radiation based on the quasi-classical formulae of the bremsstrahlung theory is developed. Substantial orientation dependence of the intensity of hard incoherent radiation is demonstrated under the angles of incidence of the particles to the crystallographic plane, close to the critical angle of planar channeling. The dechanneling effect leads to decrease of that orientation dependence. The results of simulation are in a good agreement with the experimental data. Некогерентне гальмівне випромiнювання електронiв високих энергiй у кристалi обумовлено термодинамiчними флуктуацiями вiдносно рiвноважних положень атомiв у гратцi. У цiєй статтi розвинуто процедуру моделювання iнтенсивностi некогерентного випромiнювання, яка основана на квазiкласичних формулах теорiï гальмівного випромiнювання. Показано значну орiєнтацiйну залежнiсть iнтенсивностi жорсткого некогерентного випромiнювання при кутах падiння частинок на кристалографiчну площину, якi близкi до критичного кута площинного каналювання. Ефект деканалювання приводить до зменшення цiєï орiєнтацiйноï залежнiстi. Результати моделювання знаходяться у гарному узгодженнi з даними експерименту. Некогерентное тормозное излучение электронов высоких энергий в кристалле обусловлено тепловым разбросом атомов относительно их равновесных положений в решетке. В настоящей статье развита процедура моделирования интенсивности некогерентного излучения, основанная на квазиклассических формулах теории тормозного излучения. Показана существенная ориентационная зависимость интенсивности жесткого некогерентного излучения при углах падения частиц на кристаллографическую плоскость, близких к критическому углу плоскостного каналирования. Эффект деканалирования приводит к уменьшению этой ориентационной зависимости. Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с данными эксперимента.