Динамика роста нановыступов на поверхности углеродного покрытия на начальной стадии конденсации
Представлены результаты исследований начальной стадии роста углеродных алмазоподобных пленок, полученных импульсным вакуумно-дуговым методом на кремнии. Методом сканирующей зондовой микроскопии изучена динамика роста нановыступов на поверхности углеродного покрытия в диапазоне толщин от 100 до 1000...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2005
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80569 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Динамика роста нановыступов на поверхности углеродного покрытия на начальной стадии конденсации / И.Ю. Гончаров, А.Я. Колпаков, Н.В. Камышанченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 5. — С. 168-172. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Представлены результаты исследований начальной стадии роста углеродных алмазоподобных пленок, полученных импульсным вакуумно-дуговым методом на кремнии. Методом сканирующей зондовой микроскопии изучена динамика роста нановыступов на поверхности углеродного покрытия в диапазоне толщин от 100 до 1000 нм. С использованием программного обеспечения сканирующего зондового микроскопа «Smena-A» произведен расчет степени шероховатости в зависимости от толщины. Установлено процентное соотношение нановыступов различных размеров на поверхности углеродных покрытий различных толщин. По данным эксперимента поверхность конденсата квалифицирована как фрактальная и проведен фрактальный анализ поверхности. Предпринята попытка объяснения механизма образования нановыступов на основе существующих моделей. |
|---|