Рентгеноструктурные исследования силицированных материалов на пироуглеродной связке и на основе графита mарки ЭГ–0

Применительно к исследованию силицированных графитовых материалов разработано методологическое дополнение к количественному анализу бинарного фазового состава материалов по интенсивностям линий рентгеновских отражений. Учитываются различия в коэффициентах поглощения рентгеновских лучей фазовыми сост...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2005
Hauptverfasser: Гурин, В.А., Гурин, И.В., Ковтун, Г.П., Малыхин, Д.Г., Буколов, А.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2005
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80582
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Рентгеноструктурные исследования силицированных материалов на пироуглеродной связке и на основе графита mарки ЭГ–0 / В.А. Гурин, И.В. Гурин, Г.П.Ковтун, Д.Г. Малыхин, А.Н. Буколов // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 5. — С. 54-57. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Применительно к исследованию силицированных графитовых материалов разработано методологическое дополнение к количественному анализу бинарного фазового состава материалов по интенсивностям линий рентгеновских отражений. Учитываются различия в коэффициентах поглощения рентгеновских лучей фазовыми составляющими материала при различной степени гетерогенности. Применён вероятностный подход. Параметр степени смешения фаз представлен в виде удельной площади межфазных границ. Проведены количественные рентгеноструктурные исследования фазового состава силицированных материалов на основе связанных пироуглеродом углеродных тканей и порошков графита. В исследованных материалах обнаружен двухфазный состав: C–SiC и SiC–Si. Отмечена корреляция фазового состава материалов с кажущейся плотностью исходной углеродной основы. Подтверждается возможность практического достижения максимальной степени силицирования материалов. Щодо досліджень силіційованих вуглецевих матеріалів розроблено методологічне доповнення до кількісного аналізу бінарного фазового складу матеріалів по вимірам інтенсивностей ліній рентгенівської дифракції. Враховуються відрізнення у коефіцієнтах поглинання рентгенівських променів фазовими складовими матеріалу при різному ступені змішання фаз. Застосовано імовірнісний підхід. Параметр ступеню змішання фаз представлено у вигляді питомої площини міжфазних границь. Проведено кількісні рентгеноструктурні дослідження фазового складу силіційованих матеріалів на основі зв’язаних піровуглецем вуглецевих тканин і порошків графіту. У досліджених матеріалах виявлено бінарний фазовий склад: C–SiC та SiC–Si. Відзначена кореляція фазового складу матеріалів з гаданою густиною первісної вуглецевої основи і підтверджується можливість практичного досягнення високого ступеню силіційованості матеріалів. A methodological addition to a quantitative analysis of binary phase structure of materials on measurements of X-Ray lines
 intensities worked out conformably to research of siliconized graphitic materials. Distinctions in X-rays absorption factors of
 phase components at a various degree of phases mixture taken in account. An apparatus of the probability theory is applied. A
 parameter of mixture degree of phases is submitted as a specific area size of interphase. Quantitative X-ray researches of a phase
 structure of siliconized materials are carried out on the basis of carbon fabrics and graphitic powders; both were sheafed by pyrocarbon.
 In examined samples structures C–SiC and SiC–Si were obtained. The correlation of the phase structure of materials
 with the apparent density of the initial carbon basis is seen. The opportunity of a practical obtaining of materials with the host degree
 of their siliconizing is confirmed.
ISSN:1562-6016