Моделювання комбінованого діода Шоттки
Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регул...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Проблемы машиностроения |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інстиут проблем машинобудування ім. А.М. Підгорного НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80951 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Моделювання комбінованого діода Шоттки / Є.М. Кісельов // Проблемы машиностроения. — 2013. — Т. 16, № 6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80951 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Кісельов, Є.М. 2015-04-28T18:41:44Z 2015-04-28T18:41:44Z 2013 Моделювання комбінованого діода Шоттки / Є.М. Кісельов // Проблемы машиностроения. — 2013. — Т. 16, № 6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0131-2928 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80951 621.382 Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регулирования дополнительной емкости, согласно модели, имеет значение примерно 22% . Засобами системи TCAD Studio розглянуто статичні і динамічні характеристики двовимірної скінченноелементної моделі комбінованого діода Шоттки. Показано, що ефективність керування діодом залежить від величини напруги на додатковому електроді – затворі. Встановлено, що ступінь регулювання додаткової ємності, згідно з моделюі, має значення близько 22 %. Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simulation of combined Schottky diode with electrically separated anode and gate in the computer-aided design system TCAD Studio are given in the paper. Analysis of the obtained results shows that the management effectiveness of combined Schottky diode depends on the voltage value on the additional electrode-gate. The regulation degree of additional diode capacitance, according to the applied model has a value of about 22%. The research results can be used for further optimization of designs of combined Schottky diodes. uk Інстиут проблем машинобудування ім. А.М. Підгорного НАН України Проблемы машиностроения Энергетическое машиностроение Моделювання комбінованого діода Шоттки Моделирование комбинированного диода Шоттки Simulation of combined Schottky diode Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Моделювання комбінованого діода Шоттки |
| spellingShingle |
Моделювання комбінованого діода Шоттки Кісельов, Є.М. Энергетическое машиностроение |
| title_short |
Моделювання комбінованого діода Шоттки |
| title_full |
Моделювання комбінованого діода Шоттки |
| title_fullStr |
Моделювання комбінованого діода Шоттки |
| title_full_unstemmed |
Моделювання комбінованого діода Шоттки |
| title_sort |
моделювання комбінованого діода шоттки |
| author |
Кісельов, Є.М. |
| author_facet |
Кісельов, Є.М. |
| topic |
Энергетическое машиностроение |
| topic_facet |
Энергетическое машиностроение |
| publishDate |
2013 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Проблемы машиностроения |
| publisher |
Інстиут проблем машинобудування ім. А.М. Підгорного НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Моделирование комбинированного диода Шоттки Simulation of combined Schottky diode |
| description |
Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регулирования дополнительной емкости, согласно модели, имеет значение примерно 22% .
Засобами системи TCAD Studio розглянуто статичні і динамічні характеристики двовимірної скінченноелементної моделі комбінованого діода Шоттки. Показано, що ефективність керування діодом залежить від величини напруги на додатковому електроді – затворі. Встановлено, що ступінь регулювання додаткової ємності, згідно з моделюі, має значення близько 22 %.
Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simulation of combined Schottky diode with electrically separated anode and gate in the computer-aided design system TCAD Studio are given in the paper. Analysis of the obtained results shows that the management effectiveness of combined Schottky diode depends on the voltage value on the additional electrode-gate. The regulation degree of additional diode capacitance, according to the applied model has a value of about 22%. The research results can be used for further optimization of designs of combined Schottky diodes.
|
| issn |
0131-2928 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80951 |
| citation_txt |
Моделювання комбінованого діода Шоттки / Є.М. Кісельов // Проблемы машиностроения. — 2013. — Т. 16, № 6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT kíselʹovêm modelûvannâkombínovanogodíodašottki AT kíselʹovêm modelirovaniekombinirovannogodiodašottki AT kíselʹovêm simulationofcombinedschottkydiode |
| first_indexed |
2025-12-01T03:21:38Z |
| last_indexed |
2025-12-01T03:21:38Z |
| _version_ |
1850859098498662400 |