Моделювання комбінованого діода Шоттки

Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регул...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Проблемы машиностроения
Дата:2013
Автор: Кісельов, Є.М.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інстиут проблем машинобудування ім. А.М. Підгорного НАН України 2013
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80951
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделювання комбінованого діода Шоттки / Є.М. Кісельов // Проблемы машиностроения. — 2013. — Т. 16, № 6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862640163814899712
author Кісельов, Є.М.
author_facet Кісельов, Є.М.
citation_txt Моделювання комбінованого діода Шоттки / Є.М. Кісельов // Проблемы машиностроения. — 2013. — Т. 16, № 6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Проблемы машиностроения
description Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регулирования дополнительной емкости, согласно модели, имеет значение примерно 22% . Засобами системи TCAD Studio розглянуто статичні і динамічні характеристики двовимірної скінченноелементної моделі комбінованого діода Шоттки. Показано, що ефективність керування діодом залежить від величини напруги на додатковому електроді – затворі. Встановлено, що ступінь регулювання додаткової ємності, згідно з моделюі, має значення близько 22 %. Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simulation of combined Schottky diode with electrically separated anode and gate in the computer-aided design system TCAD Studio are given in the paper. Analysis of the obtained results shows that the management effectiveness of combined Schottky diode depends on the voltage value on the additional electrode-gate. The regulation degree of additional diode capacitance, according to the applied model has a value of about 22%. The research results can be used for further optimization of designs of combined Schottky diodes.
first_indexed 2025-12-01T03:21:38Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80951
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0131-2928
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-01T03:21:38Z
publishDate 2013
publisher Інстиут проблем машинобудування ім. А.М. Підгорного НАН України
record_format dspace
spelling Кісельов, Є.М.
2015-04-28T18:41:44Z
2015-04-28T18:41:44Z
2013
Моделювання комбінованого діода Шоттки / Є.М. Кісельов // Проблемы машиностроения. — 2013. — Т. 16, № 6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
0131-2928
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80951
621.382
Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регулирования дополнительной емкости, согласно модели, имеет значение примерно 22% .
Засобами системи TCAD Studio розглянуто статичні і динамічні характеристики двовимірної скінченноелементної моделі комбінованого діода Шоттки. Показано, що ефективність керування діодом залежить від величини напруги на додатковому електроді – затворі. Встановлено, що ступінь регулювання додаткової ємності, згідно з моделюі, має значення близько 22 %.
Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simulation of combined Schottky diode with electrically separated anode and gate in the computer-aided design system TCAD Studio are given in the paper. Analysis of the obtained results shows that the management effectiveness of combined Schottky diode depends on the voltage value on the additional electrode-gate. The regulation degree of additional diode capacitance, according to the applied model has a value of about 22%. The research results can be used for further optimization of designs of combined Schottky diodes.
uk
Інстиут проблем машинобудування ім. А.М. Підгорного НАН України
Проблемы машиностроения
Энергетическое машиностроение
Моделювання комбінованого діода Шоттки
Моделирование комбинированного диода Шоттки
Simulation of combined Schottky diode
Article
published earlier
spellingShingle Моделювання комбінованого діода Шоттки
Кісельов, Є.М.
Энергетическое машиностроение
title Моделювання комбінованого діода Шоттки
title_alt Моделирование комбинированного диода Шоттки
Simulation of combined Schottky diode
title_full Моделювання комбінованого діода Шоттки
title_fullStr Моделювання комбінованого діода Шоттки
title_full_unstemmed Моделювання комбінованого діода Шоттки
title_short Моделювання комбінованого діода Шоттки
title_sort моделювання комбінованого діода шоттки
topic Энергетическое машиностроение
topic_facet Энергетическое машиностроение
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80951
work_keys_str_mv AT kíselʹovêm modelûvannâkombínovanogodíodašottki
AT kíselʹovêm modelirovaniekombinirovannogodiodašottki
AT kíselʹovêm simulationofcombinedschottkydiode