Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Maslov, N.I., Potin, S.M., Starodubtsev, A.F.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2005
• Schlagworte: Экспериментальные методы и обработка даных
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81227
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector / N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 6. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode
 separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD
 interstrip resistance and interstrip capacitance is considered. Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД. Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов
 (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено
 влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД.