Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector
The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode
 separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD
 interstrip resistance and interstrip capacitance is c...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81227 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector / N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 6. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862679239887683584 |
|---|---|
| author | Maslov, N.I. Potin, S.M. Starodubtsev, A.F. |
| author_facet | Maslov, N.I. Potin, S.M. Starodubtsev, A.F. |
| citation_txt | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector / N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 6. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode
separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD
interstrip resistance and interstrip capacitance is considered.
Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД.
Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов
(ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено
влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:42:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81227 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T15:42:33Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Maslov, N.I. Potin, S.M. Starodubtsev, A.F. 2015-05-13T17:38:17Z 2015-05-13T17:38:17Z 2005 Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector / N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 6. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 29.40.Wk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81227 The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode
 separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD
 interstrip resistance and interstrip capacitance is considered. Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД. Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов
 (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено
 влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Экспериментальные методы и обработка даных Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector Дослідження електрофізичних характеристик детектуючих елементів на омічній стороні кремнієвого мікрострипового детектора Исследование электрофизических характеристик детектирующих элементов на омической стороне кремниевого микрострипового детектора Article published earlier |
| spellingShingle | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector Maslov, N.I. Potin, S.M. Starodubtsev, A.F. Экспериментальные методы и обработка даных |
| title | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector |
| title_alt | Дослідження електрофізичних характеристик детектуючих елементів на омічній стороні кремнієвого мікрострипового детектора Исследование электрофизических характеристик детектирующих элементов на омической стороне кремниевого микрострипового детектора |
| title_full | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector |
| title_fullStr | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector |
| title_full_unstemmed | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector |
| title_short | Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector |
| title_sort | studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector |
| topic | Экспериментальные методы и обработка даных |
| topic_facet | Экспериментальные методы и обработка даных |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81227 |
| work_keys_str_mv | AT maslovni studyingelectrophysicalcharacteristicsofdetectingelementsontheohmicsideofsiliconmicrostripdetector AT potinsm studyingelectrophysicalcharacteristicsofdetectingelementsontheohmicsideofsiliconmicrostripdetector AT starodubtsevaf studyingelectrophysicalcharacteristicsofdetectingelementsontheohmicsideofsiliconmicrostripdetector AT maslovni doslídžennâelektrofízičnihharakteristikdetektuûčihelementívnaomíčníistoroníkremníêvogomíkrostripovogodetektora AT potinsm doslídžennâelektrofízičnihharakteristikdetektuûčihelementívnaomíčníistoroníkremníêvogomíkrostripovogodetektora AT starodubtsevaf doslídžennâelektrofízičnihharakteristikdetektuûčihelementívnaomíčníistoroníkremníêvogomíkrostripovogodetektora AT maslovni issledovanieélektrofizičeskihharakteristikdetektiruûŝihélementovnaomičeskoistoronekremnievogomikrostripovogodetektora AT potinsm issledovanieélektrofizičeskihharakteristikdetektiruûŝihélementovnaomičeskoistoronekremnievogomikrostripovogodetektora AT starodubtsevaf issledovanieélektrofizičeskihharakteristikdetektiruûŝihélementovnaomičeskoistoronekremnievogomikrostripovogodetektora |