Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector - Maslov, N.I.; Potin, S.M.; Starodubtsev, A.F. (Вопросы атомной науки и техники, 2005)
The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode
separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD
interstrip resistance and interstrip capacitance is considered. Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД. Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов
(ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено
влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД.