Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2004
• Автори: Ковтун, Г.П., Щербань, А.П., Горбенко, Ю.В., Пироженко, Л.А., Зеленская, В.И., Берингов, С.Б., Власенко, Т.В., Шульга, Ю.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
• Теми: Чистые материалы и вакуумные технологии
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
 легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики. Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи
 легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм,
 використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП)
 для виробів сонячної енергетики. The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of
 silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of
 solar power engineering.