Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) д...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2004
Hauptverfasser: Ковтун, Г.П., Щербань, А.П., Горбенко, Ю.В., Пироженко, Л.А., Зеленская, В.И., Берингов, С.Б., Власенко, Т.В., Шульга, Ю.Г.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Schlagworte:
Чистые материалы и вакуумные технологии
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81253
record_format dspace
spelling Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
2015-05-13T19:02:59Z
2015-05-13T19:02:59Z
2004
Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
669.782
Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики.
Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм, використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП) для виробів сонячної енергетики.
The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of solar power engineering.
Авторы выражают искреннюю благодарность Виричу В.Д. и Рыжовой Т.П. за проведение массспектрального анализа образцов сплавов кремния с галлием.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Чистые материалы и вакуумные технологии
Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм
Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
spellingShingle Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
Чистые материалы и вакуумные технологии
title_short Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_full Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_fullStr Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_full_unstemmed Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_sort получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
author Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
author_facet Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
topic Чистые материалы и вакуумные технологии
topic_facet Чистые материалы и вакуумные технологии
publishDate 2004
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм
Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon
description Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики. Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм, використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП) для виробів сонячної енергетики. The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of solar power engineering.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
citation_txt Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kovtungp polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT ŝerbanʹap polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT gorbenkoûv polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT piroženkola polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT zelenskaâvi polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT beringovsb polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT vlasenkotv polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT šulʹgaûg polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT kovtungp oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT ŝerbanʹap oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT gorbenkoûv oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT piroženkola oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT zelenskaâvi oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT beringovsb oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT vlasenkotv oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT šulʹgaûg oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT kovtungp obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT ŝerbanʹap obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT gorbenkoûv obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT piroženkola obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT zelenskaâvi obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT beringovsb obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT vlasenkotv obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT šulʹgaûg obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
first_indexed 2025-12-07T15:22:44Z
last_indexed 2025-12-07T15:22:44Z
_version_ 1850863480929779712

Ähnliche Einträge