Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
 легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2004
Main Authors: Ковтун, Г.П., Щербань, А.П., Горбенко, Ю.В., Пироженко, Л.А., Зеленская, В.И., Берингов, С.Б., Власенко, Т.В., Шульга, Ю.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862667618248294400
author Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
author_facet Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
citation_txt Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
 легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики. Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи
 легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм,
 використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП)
 для виробів сонячної енергетики. The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of
 silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of
 solar power engineering.
first_indexed 2025-12-07T15:22:44Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81253
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-12-07T15:22:44Z
publishDate 2004
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
2015-05-13T19:02:59Z
2015-05-13T19:02:59Z
2004
Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
669.782
Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
 легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики.
Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи
 легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм,
 використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП)
 для виробів сонячної енергетики.
The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of
 silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of
 solar power engineering.
Авторы выражают искреннюю благодарность Виричу В.Д. и Рыжовой Т.П. за проведение массспектрального анализа образцов сплавов кремния с
 галлием.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Чистые материалы и вакуумные технологии
Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм
Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon
Article
published earlier
spellingShingle Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Горбенко, Ю.В.
Пироженко, Л.А.
Зеленская, В.И.
Берингов, С.Б.
Власенко, Т.В.
Шульга, Ю.Г.
Чистые материалы и вакуумные технологии
title Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_alt Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм
Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon
title_full Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_fullStr Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_full_unstemmed Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_short Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
title_sort получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
topic Чистые материалы и вакуумные технологии
topic_facet Чистые материалы и вакуумные технологии
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
work_keys_str_mv AT kovtungp polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT ŝerbanʹap polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT gorbenkoûv polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT piroženkola polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT zelenskaâvi polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT beringovsb polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT vlasenkotv polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT šulʹgaûg polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem
AT kovtungp oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT ŝerbanʹap oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT gorbenkoûv oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT piroženkola oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT zelenskaâvi oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT beringovsb oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT vlasenkotv oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT šulʹgaûg oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm
AT kovtungp obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT ŝerbanʹap obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT gorbenkoûv obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT piroženkola obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT zelenskaâvi obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT beringovsb obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT vlasenkotv obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon
AT šulʹgaûg obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon