Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
 легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862667618248294400 |
|---|---|
| author | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Горбенко, Ю.В. Пироженко, Л.А. Зеленская, В.И. Берингов, С.Б. Власенко, Т.В. Шульга, Ю.Г. |
| author_facet | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Горбенко, Ю.В. Пироженко, Л.А. Зеленская, В.И. Берингов, С.Б. Власенко, Т.В. Шульга, Ю.Г. |
| citation_txt | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики.
Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи
легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм,
використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП)
для виробів сонячної енергетики.
The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of
silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of
solar power engineering.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:22:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81253 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:22:44Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Горбенко, Ю.В. Пироженко, Л.А. Зеленская, В.И. Берингов, С.Б. Власенко, Т.В. Шульга, Ю.Г. 2015-05-13T19:02:59Z 2015-05-13T19:02:59Z 2004 Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253 669.782 Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы
 легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики. Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи
 легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм,
 використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП)
 для виробів сонячної енергетики. The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of
 silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of
 solar power engineering. Авторы выражают искреннюю благодарность Виричу В.Д. и Рыжовой Т.П. за проведение массспектрального анализа образцов сплавов кремния с
 галлием. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Чистые материалы и вакуумные технологии Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Горбенко, Ю.В. Пироженко, Л.А. Зеленская, В.И. Берингов, С.Б. Власенко, Т.В. Шульга, Ю.Г. Чистые материалы и вакуумные технологии |
| title | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием |
| title_alt | Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon |
| title_full | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием |
| title_fullStr | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием |
| title_full_unstemmed | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием |
| title_short | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием |
| title_sort | получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием |
| topic | Чистые материалы и вакуумные технологии |
| topic_facet | Чистые материалы и вакуумные технологии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT ŝerbanʹap polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT gorbenkoûv polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT piroženkola polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT zelenskaâvi polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT beringovsb polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT vlasenkotv polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT šulʹgaûg polučeniegallievoiligaturynaosnovesplavaskremniem AT kovtungp oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT ŝerbanʹap oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT gorbenkoûv oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT piroženkola oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT zelenskaâvi oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT beringovsb oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT vlasenkotv oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT šulʹgaûg oderžannâgalíêvoílígaturinaosnovísplavuzkremníêm AT kovtungp obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon AT ŝerbanʹap obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon AT gorbenkoûv obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon AT piroženkola obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon AT zelenskaâvi obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon AT beringovsb obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon AT vlasenkotv obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon AT šulʹgaûg obtainingofthegalliumrichalloyonthebaseofsilicon |