Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием - Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П.; Горбенко, Ю.В.; Пироженко, Л.А.; Зеленская, В.И.; Берингов, С.Б.; Власенко, Т.В.; Шульга, Ю.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2004)
Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики. Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм, використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП) для виробів сонячної енергетики. The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of solar power engineering.