Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe

Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe

Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные х...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2004
Автори: Леонов, С.А., Кутний, Д.В., Наконечный, Д.В., Давыдов, Л.Н., Захарченко, А.А., Кутний, В.Е., Рыбка, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Теми:
Физика и технология конструкционных материалов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81270
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81270
record_format dspace
spelling Леонов, С.А.
Кутний, Д.В.
Наконечный, Д.В.
Давыдов, Л.Н.
Захарченко, А.А.
Кутний, В.Е.
Рыбка, А.В.
2015-05-13T19:32:52Z
2015-05-13T19:32:52Z
2004
Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1562-6016
PACS: 73.25.+i, 52.75.Rx
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81270
Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~ 0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe.
Описаний запропонований авторами метод іонно-плазмової пасивації бокової поверхні напівізолюючого напівпровідникового кристалу, такого як CdZnTe. Показано, що пасивація може успішно здійснюватися при нанесенні покриття не тільки з TiO2, але і з Al2O3 або ZrO2. Досліджені вольт-амперні характеристики (ВАХ) детекторних сенсорів, виготовлених з CdZnTe із пасивованою боковою поверхнею. Проаналізовані температурні залежності ВАХ. Показано, що навіть при T ~ 0ºC пасивована поверхня не впливає на роботу детектора з CdZnTe.
A method of ion plasma passivation, proposed earlier by the authors for lateral surface coating of semiinsulating semiconductor crystal, like CdZnTe, is presented in some detail. It is now shown that the passivation can be successfully realized not only with TiO2 coating but also with coatings made from Al2O3 and ZrO2. The voltage-current characteristics of CdZnTe detector sensors with passivated lateral surface are investigated. The temperature dependence of these characteristics is analyzed. It is shown, that even at T ≈ 0ºC the passivated surface does not influence the CdZnTe detector performance.
Работа выполнена в рамках проекта НТЦУ №1787.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика и технология конструкционных материалов
Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
Іонно-плазмова пасивація поверхні кристалів CdZnTe
Ion-plasma passivation of CdZnTe crystal surface
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
spellingShingle Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
Леонов, С.А.
Кутний, Д.В.
Наконечный, Д.В.
Давыдов, Л.Н.
Захарченко, А.А.
Кутний, В.Е.
Рыбка, А.В.
Физика и технология конструкционных материалов
title_short Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_full Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_fullStr Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_full_unstemmed Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_sort ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов cdznte
author Леонов, С.А.
Кутний, Д.В.
Наконечный, Д.В.
Давыдов, Л.Н.
Захарченко, А.А.
Кутний, В.Е.
Рыбка, А.В.
author_facet Леонов, С.А.
Кутний, Д.В.
Наконечный, Д.В.
Давыдов, Л.Н.
Захарченко, А.А.
Кутний, В.Е.
Рыбка, А.В.
topic Физика и технология конструкционных материалов
topic_facet Физика и технология конструкционных материалов
publishDate 2004
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Іонно-плазмова пасивація поверхні кристалів CdZnTe
Ion-plasma passivation of CdZnTe crystal surface
description Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~ 0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe. Описаний запропонований авторами метод іонно-плазмової пасивації бокової поверхні напівізолюючого напівпровідникового кристалу, такого як CdZnTe. Показано, що пасивація може успішно здійснюватися при нанесенні покриття не тільки з TiO2, але і з Al2O3 або ZrO2. Досліджені вольт-амперні характеристики (ВАХ) детекторних сенсорів, виготовлених з CdZnTe із пасивованою боковою поверхнею. Проаналізовані температурні залежності ВАХ. Показано, що навіть при T ~ 0ºC пасивована поверхня не впливає на роботу детектора з CdZnTe. A method of ion plasma passivation, proposed earlier by the authors for lateral surface coating of semiinsulating semiconductor crystal, like CdZnTe, is presented in some detail. It is now shown that the passivation can be successfully realized not only with TiO2 coating but also with coatings made from Al2O3 and ZrO2. The voltage-current characteristics of CdZnTe detector sensors with passivated lateral surface are investigated. The temperature dependence of these characteristics is analyzed. It is shown, that even at T ≈ 0ºC the passivated surface does not influence the CdZnTe detector performance.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81270
citation_txt Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT leonovsa ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
AT kutniidv ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
AT nakonečnyidv ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
AT davydovln ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
AT zaharčenkoaa ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
AT kutniive ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
AT rybkaav ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
AT leonovsa íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte
AT kutniidv íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte
AT nakonečnyidv íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte
AT davydovln íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte
AT zaharčenkoaa íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte
AT kutniive íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte
AT rybkaav íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte
AT leonovsa ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface
AT kutniidv ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface
AT nakonečnyidv ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface
AT davydovln ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface
AT zaharčenkoaa ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface
AT kutniive ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface
AT rybkaav ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface
first_indexed 2025-11-30T23:40:59Z
last_indexed 2025-11-30T23:40:59Z
_version_ 1850858730388717568

Схожі ресурси