Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности
 полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может
 успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы&a...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81270 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862637895277346816 |
|---|---|
| author | Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. |
| author_facet | Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. |
| citation_txt | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности
полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может
успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы
вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной
боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~
0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe.
Описаний запропонований авторами метод іонно-плазмової пасивації бокової поверхні напівізолюючого
напівпровідникового кристалу, такого як CdZnTe. Показано, що пасивація може успішно здійснюватися при
нанесенні покриття не тільки з TiO2, але і з Al2O3 або ZrO2. Досліджені вольт-амперні характеристики (ВАХ)
детекторних сенсорів, виготовлених з CdZnTe із пасивованою боковою поверхнею. Проаналізовані
температурні залежності ВАХ. Показано, що навіть при T ~ 0ºC пасивована поверхня не впливає на роботу
детектора з CdZnTe.
A method of ion plasma passivation, proposed earlier by the authors for lateral surface coating of semiinsulating
semiconductor crystal, like CdZnTe, is presented in some detail. It is now shown that the passivation can be successfully realized not only with TiO2 coating but also with coatings made from Al2O3 and ZrO2. The voltage-current characteristics of CdZnTe detector sensors with passivated lateral surface are investigated. The temperature dependence
of these characteristics is analyzed. It is shown, that even at T ≈ 0ºC the passivated surface does not influence the
CdZnTe detector performance.
|
| first_indexed | 2025-11-30T23:40:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81270 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T23:40:59Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. 2015-05-13T19:32:52Z 2015-05-13T19:32:52Z 2004 Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 PACS: 73.25.+i, 52.75.Rx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81270 Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности
 полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может
 успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы
 вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной
 боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~
 0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe. Описаний запропонований авторами метод іонно-плазмової пасивації бокової поверхні напівізолюючого
 напівпровідникового кристалу, такого як CdZnTe. Показано, що пасивація може успішно здійснюватися при
 нанесенні покриття не тільки з TiO2, але і з Al2O3 або ZrO2. Досліджені вольт-амперні характеристики (ВАХ)
 детекторних сенсорів, виготовлених з CdZnTe із пасивованою боковою поверхнею. Проаналізовані
 температурні залежності ВАХ. Показано, що навіть при T ~ 0ºC пасивована поверхня не впливає на роботу
 детектора з CdZnTe. A method of ion plasma passivation, proposed earlier by the authors for lateral surface coating of semiinsulating
 semiconductor crystal, like CdZnTe, is presented in some detail. It is now shown that the passivation can be successfully realized not only with TiO2 coating but also with coatings made from Al2O3 and ZrO2. The voltage-current characteristics of CdZnTe detector sensors with passivated lateral surface are investigated. The temperature dependence
 of these characteristics is analyzed. It is shown, that even at T ≈ 0ºC the passivated surface does not influence the
 CdZnTe detector performance. Работа выполнена в рамках проекта НТЦУ №1787. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe Іонно-плазмова пасивація поверхні кристалів CdZnTe Ion-plasma passivation of CdZnTe crystal surface Article published earlier |
| spellingShingle | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe |
| title_alt | Іонно-плазмова пасивація поверхні кристалів CdZnTe Ion-plasma passivation of CdZnTe crystal surface |
| title_full | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe |
| title_fullStr | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe |
| title_full_unstemmed | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe |
| title_short | Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe |
| title_sort | ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов cdznte |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81270 |
| work_keys_str_mv | AT leonovsa ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT kutniidv ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT nakonečnyidv ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT davydovln ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT zaharčenkoaa ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT kutniive ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT rybkaav ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT leonovsa íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte AT kutniidv íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte AT nakonečnyidv íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte AT davydovln íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte AT zaharčenkoaa íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte AT kutniive íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte AT rybkaav íonnoplazmovapasivacíâpoverhníkristalívcdznte AT leonovsa ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface AT kutniidv ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface AT nakonečnyidv ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface AT davydovln ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface AT zaharčenkoaa ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface AT kutniive ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface AT rybkaav ionplasmapassivationofcdzntecrystalsurface |